СЛОСОБ УДАЛЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА Советский патент 1973 года по МПК H05K3/06 

Изобретение относится к области технологии производства радиоэлектронных детален и может быть использовано при изготовлении элементов микросхем. Известен способ удаления фоторезиста . с поверхности радиоэлектронных изделий, в частности элементов микросхем, путем растворения фоторезиста в щелочном растворе. Недостатком известного способа является загрязнение элементов микросхемы ионами щелочных металлов, например калия, натрия и лития, и разрушение некоторых элементов микросхем, например алюминиевых контактов и проводников, в результате высокой концентрации ионов гидроксила щелочи. С целью устранения разрушения и загрязнения- элементов микросхемы по предлагаемому способу растворение фоторезиста осуществляют в водном растворе гидрата гидразина. Предлагаемый способ осущестйляется следующим образом. Изделие, например микросхему, с задубленным слоем фоторезиста помещают рисунком вверх в кипя-щий водный щелочной раствор, не содержащий ионов щелочных металTioB, при концентрации гидроксильных групп ЮН), равной (7,8-8,5) , например, в сипящий гидрат гидразина, разбавленный зoвaннoй водой до 25 крат (в зависиМОСТИ от материала подложки и степени задубленности фоторезиста). Растворение задубленного слоя фоторезиста производят з течение 2-5 лшн, после чего микросхему извлекают, промывают деионизованной водой и высушивают. Разбавление гидрата гидразина водой (регулируется водородный показатель раствора) производят непосредственно перед удалением задубленного слоя фоторезиста. Выбор предлагаемого состава для удаления задубленного слоя фоторезиста обусловлен тем, что гидрат гидразина является хорошим ионизирующим растворителем, обеспечивающим постоянное присутствие в растворах на его основе ионов (ОН), способствующих разрущению кислотостойких фоторезистов, например, на основе нафтохинондиазидов. Состав практически не действует на ряд металлов и окислов, например алюминий, медь, олово, тантал, никель, SiO2, TasOs, AlsOs, SisM, и др. Качество поверхности элементов интегральных микросхем после удаления задубленного слоя фоторезиста соответствует требованиям фотолитографии и техническим условиям на упомянутые, микросхемы. Контроль качества поверхности элементов микросхем осуществляют с по: 1ощью микроскопа МБР-2, 3 МИИ-4, а также измерением электрофизических характеристик микросхемы.. ,-, ГТПЙГГМРТИ ПППАТРНИСГ предмет изоорет.ения Способ удаления фоторезиста с поверх-5 ности радиоэлектронных изделий, в частности 4 элементов микросхемы, путем растворения фоторезиста в щелочном растворе, отличающийся тем, что, с целью устранения paspvJ г шения и загрязнения элементов микросхемы, растворение осуществляют в водном растворе гидрата гидразина.