Раствор для удаления защитного слоя фоторезиста Советский патент 1980 года по МПК G03C11/24 

Изобретение относится к раствврам для удаления защитного слоя фоторезиста, используемым в фотолито графических процессах при произволстве интегральных схем, выводных рамок для них, фотошаблонов, печатны плат и других аналогичных изделий. Известен раствор для удаления защитного слоя фоторезиста, включающий азотную кислоту, органическую добавку - соединение в виде сульфоновой ароматической кислоты или аро матического углеводорода, или его смеси с хлорированным углеводородом и воду 1 . Недостатком известного раствора является то, что он не Обеспечивает полноты удаления негативного фоторезиста на основе водорастворимых полимеров, очувствление диазосоединениями, является агрессивным и разр шает метсшлические подложки, а также то, что в процессе удаления фоторезиста требуется нагревание. Цель изобретения - создание раст вора для удаления защитного слоя фоторезиста, обеспечивающего полно ту удаления и улуч1г1ение технологии .процесса снятия негативного фоторезиста. . Сущность изобретения заключается в том, что известный раствор для удаления защитного слоя фоторезиста содержит в качестве органической добавки тиомочевину и феноксол при следующем соотнсяшении компонентов, вес.%: Азотная кислота ( (,34)30-40 Тиомочевина1-5 Феноксол0,1-0,5 ВодаОстальное Особенностью предлагаемого решения является совокупность воздействия вышеприведенных компонентов раствора на слой фоторезиста, нанесённый на металл, диэлектрик или полупроводник . Основной компонент раствора - разбавленная азотная кислота - вызывает отслаивание пленки фоторезиста от подложки. Но при этом происходит разрушение подложки, а фоторезист удаляется не полностью. При добавлении в разбавленную кислоту тиомочевины разрушения подложки не наб.шодается, но на поверхности ее все же остаются островки иеудаленной пленки фоторезиста. И только при добавлении к смеси азотной кислоты с мочевиной феноксола- дости гается желаемый результат: фоторезист удаляется полностью, при этом позерхнооть подложки остается чисто и неразрушенной. При добавлении феноксола к азотной кислоте без тиомочевины поверхность подложки разрушается, а фоторезист удаляется неполностью. Феноксол представляет собой смес полиоксиэтиленгликолевых эфиров лзооксифенола. Условная структурная формула )(сн,--снДн п 10 (в среднем). Условная молекулярная масса (по международным атомным массам 1969г) 646, Удаление фоторезиста в указанном растворе происходит за 3-5 мин. Цель изобретения - быстрое и пол ное, без разрушенияподложки, удале ние фоторезиста на основе поливинил вого спирта, требующего высокой тем пературы задубливания (ЗОО-ЗОО С) достигается добавлением к раствору азотной кислоты органической добавк состоящей из смеси тиомочевины и феноксола. Как показали исследования, использование данной сложной добавки позволяет также снизить концентрацию азотной кислоты и умен шить агрессивность раствора, что об легчает работу с ним и создает возможность механизации процесса. Пpвдлaгae vlый раствор для удаления фоторезиста готовится путем растворения тиомочевины в воде, доТаблицабавления феноксола и затем азотной кислоты при перемешивании. После приготовления раствор необходимо вьщержать не менее 0,5 ч при комнатной температуре. Рабочая температура раствора 18-20°С. Ниже приведены примеры использования предлагаемого раствора для удаления фоторезиста, на основе ПВС, задубленного при высоких температурах, с различных подложек, вес.%: Пример 1. Азотная кислота (d - 1,34 г/см)30 Тиомочевина1 в Феноксол0,1 ВодаОстсшьное. Подложка - никелевая заготовка, температура задубливания - , время полного удаления фоторезиста 5 мин . Пример 2. Азотная кислота (d - 1,34 г/см)35 Тиомочевина3 Феноксол. 0,3 ВодаОстальное Подложка из сплава 47 НД, температура задубливания 250 С. Пример 3. Азотная кислота (d - 1,34 г/см)40 Тиомочевина5 Феноксол0,3. ВодаОстальное Подложка - ковар, температура эадубливания - , время полного удаления фоторезиста - 2 мин. Результаты сравнительных испытаний приведены в таблице.

Известный ра

Предлагаемые

г:

1,Азотная к-та

(d - 1,167)

Тиомочевина Феноксол

2,Азотная

. (d- 1,167)

Тиомочевина

30 прим. разр. остатки фоторезиста

5 -- не разр. удалены

полностью

не прим. не разр.

удален полностью

0,3

100

5

0,5

20

Как видно из таблицы растворы по описанному в заявке решению быстро и полно снимают защитный рельеф из негативного фоторезиста, на основе поливинилового спирта, очувствленного диазосмолой, задублного при 200 С и выше. При этом не требуется механического воздействия и не происходит разрушения подложки. Рекомендуемые растворы не опасны при работе могут быть использованы не только при ручной, но и при машинной обработке изделий, изготавливаемых с помощью фотолитографии.

Практическое использование предгаемого раствора позволяет изготовить выводные рамки для интегральных схем из ковара, никеля, меди, печатные платы с фоторезистом на основе поливинилового спирта, задубленньр при высоких температур

( и выше). При этом обеспечився быстрое и полное удаление фоторезиста с.подложки без ее разрушения и высокая чистота обрабатываемой поверхности. Применение данног раствора в производстве позволяет

(при использовании соответствующих фоторезистов) повысить производиПродолжение табл.

тельность процесса фотолитографической; обработки на операции снятие фоторезиста в 10 раз и увеличить выход годных изделий на 5-10%.

25

Формула изобретения

Раствор для удаления защитного слоя фоторезиста, включающий азотную кислоту, органическую добавку и воду, отличающийся тем, что, с целью обеспечения полноты удаления и улучшения технологии процесса снятия негативного фоторезиста на основе водорастворимых полимеров, очувствленных диизосоединениями, он содержит в качестве органической добавки тиомочевину и Феноксол при следующем соотнсаиении компонентов, вес.%: Азотная кислота (d - 1,34)30-40

Тиомочевина1-5

Феноксол0,1-0,5

ВодаОстальное

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1, Патент . Франции №2021696, кл. G 03 F 7/00, опублик. 1970 (прототип).