Способ дефектоскопии тонких пленок Советский патент 1935 года по МПК G01N23/02 

Широко известный метод просвечивания рентгенозскими лучами очень малой жесткости, применяемый для исследования тонких объектов, требует специальных трубок и довольно сложной аппаратуры. Исследование тонких объектов (с помощью просвечивания) возможно тогда, когда применяется радиация, способная очень сильно поглощаться в небольщих толщинах.

Предлагаемый метод дефектоскопии тонких объектов заключается в применении для этой цели Р-лучей (сущеществующий же анализ преследует цель изучения только структуры исследуемого вещества на основе рассмотрения дифракционных картин), р-лучи следуют закону поглощения: /з; , где 1, - интенсивность прошедщей через толщину X радиации, / - интенсивность падающей радиации и а - коэфициент поглощения исследуемого вещества.

Обладая с точки зрения дефектоскопии тонких образцов такими же преимуществами, как и мягкие рентгеновские лучи, т. е. способностью сильно поглощаться, что дает возможность обнаруживать малейщие изменения толщины образца, и способностью экспонировать фотопленку, что позволяет фиксировать (как при рентгеновских лучах) обнаруживаемые дефекты, - лучи могут быть получены значительно легче, чем мягкие рентгеновы лучи.

(IZ2)

Источником Р-лучей может служить как ленардоБСкая трубка,.так и радиоактивный препарат. В отношении первой нужно подчеркнуть, что потребная мощность не велика, в отношении же радиоактивных препаратов надо указать следующее. Радиоактивные препараты, в частности эманация радия, употребляются сравнительно давно и лищь как источники у - лучей для просвечивания очень больших толщин, причем в этом случае можно пренебрегать действием р -лучей.

В иных же условиях постановки опыта возможно, как раз наоборот, пренебречь действием т-лучей по сравнению с р - лучами. В самом деле, вследствие очень большой жест.чости у-излучения последнее оказывает незначительное воздействие на фотопленку (воздействие, которое будет пропорционально числу квант лучей или числу электронов, поглощенных в фотослое) по сравнению с -лучами. Поэтому время для экспонирования фотопленки при просвечивании тонких образцов при -лучах неизмеримо меньше (при том же числе испускаемых частиц), чем при просвечивании толстых объектов Yлуча ми; последнее длится от 20 до часов в зависимости от толщины объекта применяемого препарата.

Время для экспонирования - при просвечивании тонких объектов будет приблизительно во столько раз меньше времени экспонирования f- лучами того же радиоактивного источника,

во сколько раз 2е меньше е .

Двойка при е § поставлена в том предположении, что половина интенсивности р-лучей будет поглощена исследуемой пленкой, в то время как для Y-лучей поглощением в этой пленке можно пренебречь и вести расчет поглощения в фотослое так, как будто до него дошла вся интенсивность 7 - лучей. Яа и а„ - коэфициенты поглощения соответственно для р - и 7 - лучей, и л - толщина фотослоя. При это а во много

раз больще «х .

Таким образом вследствие незначительности времени экспозиции для р-лучей -лучи не будут успевать значительно ваулировать фотопленку.

Кроме того возможно вообще избавиться от Y-лучей обычным способом, отклонив 7лучи в магнитном поле, и пропустив их через щель в свинцовой щирме.

Относительно мощности радиоактивного препарата как источника р - лучей нужно указать, что при рациональном устройстве ампулы (для создания уелоВИЙ наименьщего поглощения электронов в самом препарате и в стенках ампулы) можно считать число электронов приблизительно равным числу квант (- лучей.

Предмет изобретения.

Способ дефектоскопии тонких пленок, отличающийся применением при просвечивании и фотографировании быстрых электронов и в частности |3 - лучей,