Способ контроля состава бинарных сред Советский патент 1978 года по МПК G01N23/00 

, 1, .- Изобретение относится к способам контроля состава бинарных смесей, растворов и сплавов, основанным на взаимодействии Jb -излучения с контролируемым ведеством.

Известен способ контроля состава бинарных смесей, основанный на измерении рассеянного бета-, гамма-г или рентгеновского излучения. По этому способу измеряют плотность потока, рассеянного в направлении вперед протяжным детектором. Ось последнего перпендикулярна.к поверхнйсти исследуемого матерйчшя тфич расстояние источник детектор выбирают .соответствующИм .плато : на кривой зависимости плотности потока рассеянного излучения-от расстояния источник-детектор для различных толщин исследуемого материала.

При построении автоматических устройств по указанному способу поверхностная плотность контролируемого вещества должна поддерживаться в пределах плато зависимости плотности потока излучения от поверхностной плотности контролируемой среды.

В случае применения -излучателей автоматическое поддержание поверхностной плотности в пределах плато

2

представляет значительные технические .трудности, так как ширина плато весьма мгша.

Целью изобретения является упрощение автоматизации контроля вещественного состава бинарных смесей, растворов и сплавов по рассеянию JS -излучения вперед.

Это достигается тем, что по предлагаемому способу изменяют поверхностную плотность кoнтpoлиpye 40й среды, фиксируют максимальное значение плотности потока бета-излучения и по значениям до и после изменения поверхностной плотности бинарной среды вычисляют содержание анализируекых компонентов.

На чертеже приведена схема установки, реализующая предлагаемый способ .

Источник излучения 1 расположен по одну сторону от исследуемого материала 2, по другую сторону от которого размещен детектор 3.

Источник излучения и детектор устанавливаются соосно, причем расстояние источник-детектор выбирается минимальным по конструктивным соображениям. Между источником и иccлeдye ым материалом располагают экран 4, поглощающий практически полностью прямое излучение от источника. Благодаря установке экрана детектор регистрирует излучение, рассеянное в объеме исследуемого материёша в направлении вперед. При реализации способа в качестве исследуемлх материалов берут сплав Со-АС с содержанием меди 40%, выполненный в виде плоскопараллельного клина с возможностью перемещения его в направлении, перпендикулярном распространению излучения. В качестве ис гочника бета-излучения используют изо топ стронций 90 + иттрий 90. В соответствии с изобретением сняты кривые зависимости максимума плотности потока излучения fffg от плот ности сплава и чистого алюминия и мед Ископаемая концентрация меди (40%) вычисляется по формуле Ф/Фо-д а/ Ро Ф,/ Рр- Рг/Ф„ где Ф, /фд - значение максимума плотности потока излучения при С 100% J « О -4е - значение максимума пйотости потока излучения при С... 100%) Ьси « Ф/Фв значение максимума плотности потока излучения при неизвестной концентрации. При реализации данного способа в потоке необходимо осуществить циклическое дозирование контролируемого вещества так, чтобы в одном цикле дозирования поверхностная плотность контролируемого слоя вещества изменялась от весьма малых значений до слоя полного ослабления f -излучения. Формула изобретения Способ контроля состава бинарных сред путем облучения и последующего измерения бета-излучения, рассеянного вперед, о т л и ча ю щ и и с я тем, что/ с целью автоматизации контр оля, изменяют поверхностную плотность контролируемой среды, фиксируют максимальное значение плотности потока бета-излучения и по значениям до и после изменения поверхностной плотности бинарной рреды вычисляют содержание анализируеьшх компонентов.