Изобретение предназначе но ддя использования в полупроводниковой промышленности при производстве микросхем в микроэлектронике.
Известно устройство щш нанесения фоторезиста на подложки, содержащее распылитель,отражатель, сборник для сбора стекащих мелких частиц фоторезиста и транспортирувдий механизм, предназначенный для перемещения полупроводниковых пластин в прсщессе нанесения и сушки фоторезиста.
Однако в таком устройстве расходуется много фоторезиста в результате осаадения на подложках крупных частиц фоторезиста и накопления на стенках устройства мелких частиц,стекащих в сборник для дальнейшего повторного использования. Качество повторно используемого фоторезиста недостаточно высокое.
Предлагаемое устройство
{отличается от известного оно снабжено герметично соединённой с расдылителем камерой,внутрен няя горизонтальная стенка которой со стороны распылителя снабжена нагревателем,выполненным в виде тонкой плёнки,а внутренняя горизовтальная стенка со стороны размещения подложек выполнена с возможностью охлаждения её,например,протоЧ ной водой.Это позволяет увеличить эффективность работы устройства.
На чертеже изображено предлагаемое устройство.
Устройство состоит из распылителя I,стенки которого герметично соединены с нагревателем 2 камеры;тонкой металлической ленты транспортирущего механизма 3, на которую помещают полупроводниковые пластины 4, и охлаждаемой подложки б.Охлаадение осуществляется с помощью воды,циркулирующей по кана|ЛЭм подложки 1на чертеже не пока-зано).
Электрический ток пропускакчг 00 токопроводящему слою нагревателя 2 и охлаждают лодложку 5, создавая этим градиент текшературы. Фоторезист из раслылителя I попадает в камеру 6, образованную нагревателем 2 и подложкой 5.При этом происходит осаждение частиц фоторезиста на пластины под действием инерционных сил.возникащих при создании температурного градиента. Более мелкие частицы,не осаждённые под действием инерционных сил в данных условиях,оседают на подложки в результате действия сил тяжести и термофоретических сил. За счёт этого расход фоторезиста уменьшается,и необходимость в сборнике для частиц фоторезиста отпада ет.Кроме того,предлагаемое устройство позволяет осуществлять равномерное по толпдане осаадение фоторезиста. Этолог способствует выполнение нагрев 1теля в виде, плоской пластины с равномерно нанесённым токопроводящим слоем и создание равномерной зоны нагрева.
ПРБЩМЕТ ЙЗОБРЕТШЙН
Устройство для нанесенЕЯ фоторезиста на подложки,содержащее
распылитель и транспортирущий механизм, отличащееся тем,что,с целью повышения эффективности работы устройства,оно снабжено герм« тично соединенной с распылителем камерой,
внуэфенняя горизонтальная стенка которой со стороны распылителя снабжена нагревателем, выполненным в виде тонкой плёнки,а внутренняя горизонтальная стенка со стороны размещения подложек выполнена с возможностью охлажденмя её,например,проточной водой.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКЕ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 1992 |
|
RU2046450C1 |
CVD РЕАКТОР РУЛОННОГО ТИПА ДЛЯ СИНТЕЗА ГРАФЕНОВЫХ ПОКРЫТИЙ НА ПОДЛОЖКАХ В ВИДЕ ШИРОКОЙ ЛЕНТЫ | 2020 |
|
RU2760676C1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА | 2009 |
|
RU2402102C1 |
Центрифуга для нанесения фоторезиста на подложку | 1981 |
|
SU973171A1 |
Центрифуга для нанесения фоторезиста на пластины | 1982 |
|
SU1025456A1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА | 1969 |
|
SU250322A1 |
Способ формирования защитного покрытия и устройство для его осуществления | 1980 |
|
SU917366A1 |
Способ производства тонкопленочного термоэлектрического преобразователя на основе дисилицида хрома | 2022 |
|
RU2803976C1 |
УСТРОЙСТВО НАГРЕВА ПОДЛОЖКИ ДЛЯ УСТАНОВКИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ | 2010 |
|
RU2468468C2 |
Способ нанесения фоторезиста и устройство для его осуществления | 1980 |
|
SU937028A1 |
Авторы
Даты
1974-08-30—Публикация
1972-11-10—Подача