Запоминающее устройство Советский патент 1974 года по МПК G11C11/22 

Известно ЗУ, содержащее сегнетоэлектрическую пластину, на KOTqpoft размещены щины записи, основные адресные и разрядные щины :И дополнительные ад1ресные и разрядные щины, в перекрестиях которых расположены соответственно основные и дополнительные запоминающие элементы, содержащие полупроводниковые пленки. При этом основные адресные шины подключены к соответствующим выходам дешифратора, дополнительные адресные шины - к общей щине устройства, а одноименные основные и дополнительные разрядные шины соединены между собой и подключены через резисторы к источнику напряжения смещения.

В таком устройстве необходимо проводить запись одинаковых цифр в одноименные основные и дополнительные запоминающие элементы для считывания информации, что усложняет оборудование для записи информации и снижает надежность работы всего устройства.

Целью изобретения является упрощение конструкции и повыщение надежности устройства.

Поставленняа цель достигается тем, что в предложенном устройстве основные и дополнительные адресные и разрядные щины размещены на противоположных гранях сегнетоэлектрическои пластины, полупроводниковые пленки основных и дополнительных запоминающих элементов выполнены из материалов с различным типом проводимости и изолированы от соответствующих щин записи, которые расположены на противоположных сторонах пластины.

На фиг. 1 показано расположение управляющих щин относительно слоя полупроводника, вид сверху; на фиг. 2 - то же, вид снизу; на фиг. 3 - то же, в разрезе.

На ф.иг. 4 схематически изображено под{слючение управляющих щин устройства и элекприческое поле между ними, создаваемое

при записи двоичной цифры; на фиг. 5 - принципиальная схема ЗУ.

Основу устройства составляет сегнетоэлектрическая пластина 1, на противоположные грани которой нанесены остальные элементы

конструкции, выполненные, например, в виде тонких металлических и полупроводниковых пленок. На одной из граней пластины расположены основные адресные щины 2, имеющие электрический контакт с тонкой пленкой 3 из

полупроводникового материала, расположенной на той же грани. Основная разрядная шина 4 имеет электрический контакт с пленкой 3, щипа 4 изолирована от шин записи 5 и 6 пленкой 7 из электроизоляционного материала и от щины 2 пленкой 8 из такого же материала. Шины 2 и 4 перекрещ.иваются под прямым углом. Пленка 3 охвачена шинами записи 5 и 6. На противоположной грани пластины расположены дополнительные ад|ресные шины 9 считывания, которые перекреш,иваются под прямым углом с допол.нительными разрядными шинами 10 и отделены от них пленкой И из элект1роизоляционного материала. Пленка 12 из полупроводникового материала расиоложена на той же грани пластины 1 и имеет электрический контакт с шинами 9 и 10. Тип проводимости материала, из которого выполнена пленка 12, противоположен типу проводимости материала пленки 3 (например, если пленка 12 выполнена из теллура р-типа, то пленка 3 - из сульфида кадмия л-типа). Шины записи 13 и 14 охватывают пленки 12 и отделены от шины 10 пленкой 15 из электроизоляционного материала. Шины для считывания на противоположных гранях пластины 1 расположены таким образом, что нормальные проекции элементов 2, 3, 4, 7 и 8 на противоположную грань совпадают соответственно с элементами 9, 12, 10, И и 15; а нормальные проекции шин 5 и 6 на противоположную грань пластины 1 накладываются на все шины 13 и 14 на этой лрани. Шины 2 подключены к дешифратору адреса 16, а соответствующие им шины 9 - к шине нулевого потенциала (заземлепы). Шины 4 и 10 соединены и подключены к усилителю считывания 17 и через резисторы 18 к источнику напряжения смеи;ения 19. Шины 5 и 6 соединены с формирователями записи 20, а шины 13 и 14 - с формирователем записи 21. Устройство работает следуюшим образом. Запись двоичной цифры в запомпнаюи1ий элемент производится поляризацией в определенном направлении сегнетозлектрического материала пластины 1 между пленками 3 и 12. Поляризация сегнетоэлектрического материала является результатом воздействия внешнего электрического поля. Электрическое поле в объеме сегнетоэлектрического материала между планками 3 и 12 обусловлеио разностью потенциалов как на шинах записи 5 и 13, так и на шинах записи 6 и 14. При этом результируюш,ий вектор напряженности электрического поля (см. фиг. 4) в любой точке объема сегнетоэлектрической пластинь 1 равен векторной сумме векторов Е и Е. Эти векторы характе|р,изуют электрическое поле соответственно шин записи 5, 13 и 6, 14, потенциалы которых определены формирователями записи 20 и 21. Разность потенциалов на шинах записи выбрана такой, что результируюш,ая напряженность электрического поля между пленками материала 3 и 12 достаточная для поляризации сегнетоэлектрического материала в соответствии с заиисываемой двоичной цифрой. При считывании двоичные цифры, записанные в каждом запоминаюшем элементе, определяются по величине элект|рического сопротивления пленки полупроводникового мате|риала, соединяюш;его соответственно шины 2, 4 и 9, 10. Величина сопротивления пленки полупроводникового материала однозначно зависит от направления и величины поляризации сегнетоэлектрического материала, на который нанесена эта иленка. Таким образом осуш;ествляется связь между электрическими сигналами, вырабатываемыми формирователями записи 20 и 21 (см. фиг. 5) при записи, и сигналами в разрядных шинах 4 и 10 при считывании. Так как пленки 3 и 12, расположенные на разных гранях пластины 1, выполнены из материала с противоположными типами проводимости, то при записи изменение сопротивления пленок полупроводникового материала в одноименных запоминаюш,их элементах имеет одинаковые знаки и близкие значения абсолютных величин. При этом запись двоичной цифры происходит одновременно в оба запоминаюпцих элемента и определяется одной парой сигналов записи, подаваемых на выбранные шины записи. Предмет изобретения Запоминающее устройство, содержащее сегнетоэлектрическую пластину, на которой разме1дены шины записи, основные ад ресные и разрядные шины и дополнительные адресные и разрядные шины, в перекрестиях которых расположены соответственно основные и дополнительные запоминающие элементы, содержащие полупроводниковые пленки, при этом основные адресные шины подключены к соответствующим выходам дешифратора, дополнительные адресные шины -к общей шине устройства, а одноименные основные и дополнительные разрядные шины соединены между собой и подключены через резисторы к источнику напряжения смещения, отличающееся тем, что, с целью упрощения устройства и повышения его надежности, основные и дополнительные адресные и разрядные шины размещены на противопололсных гранях сегнетолектрической пластины; полупроводниковые пленки основных и дополнительных запоминающих элементов выполнены из мате|риалов с азличным типом проводимости и изолироваы от соответствующих шин записи, кото|рые асположены на противоположных сторонах пластины.

.i

15

/J

Ч

12

Ч21

Р«г V