1
Изобретение относится к области пленочной микроэлектроники и может быть использовано при создании переходных отверстий в полиимидной пленке для многослойной разводки.
Известен травитель полиимида на основе гидразин-гидрата, обеспечивающий достаточную равномерность травления, однако, невысокая скорость травления приводит к разрушению защитной пленки фоторезиста, если толщина полиимидной пленки превышает 30 мкм, что приводит к подтравливанию элементов.
С целью увеличения скорости процесса травления и повышения качества вытравливаемых фигур в предлагаемом травителе полиимида на 16-20 вес. ч. гидразин-гидрата добавляют 1-2 вес. ч. щелочи, например едкого калия. Травитель не разрушает защитной пленки фоторезиста, используемой в качестве маски в процессе травления, и одновременно улучшает качество вытравливаемых фигур в полиимиде за счет увеличения скорости травления, которая составляет 24 мкм/ /мин при 60-70°С (по сравнению с 2 мкм/мин в чистом гидразин-гидрате).
Пример. На чертеже показан график зависимости скорости травления полиимида от температуры в травителе 1 гидразин-гидрат 16-20 вес. ч., едкий калий 1-2 вес. ч.; в травителе 2 гидразин-гидрат.
Кривые I и П соответствуют изменению скорости травления полиимида от температуры в травителях 1 и 2.
Скорость травления полиимида в травителе 1 выше скорости травления в гидразингидрате в 8-10 раз. Время травления полиимида в травителе 1 при 60°С - 1,5-2 мин, причем фоторезистивная маска не разрушается, а время травления в гидразин-гидрате 10 мин, причем наблюдается частичное разрушение пленки фоторезиста.
Предмет изобретения
Травитель полиимида на основе гидразингидрата, отличающийся тем, что, с целью увеличения скорости процесса травления и повыщения качества вытравливаемых фигур, на 16-20 вес. ч. гидразин-гидрата добавляют 1-2 вес. ч. щелочи, например едкого калия.
,- 446870
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ПРОИЗВОДСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СИСТЕМ НА ПОЛИИМИДНОМ ОСНОВАНИИ | 2004 |
|
RU2295846C2 |
Состав для травления поверхности полиимидного материала | 1977 |
|
SU660999A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГИБКОЙ МИКРОПЕЧАТНОЙ ПЛАТЫ | 2012 |
|
RU2520568C1 |
Способ изготовления сквозных микроотверстий в кремниевой подложке | 2018 |
|
RU2692112C1 |
СПОСОБ ТЕКСТУРИРОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ | 1993 |
|
RU2056672C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ МИКРОСХЕМЫ | 1989 |
|
SU1816170A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ МИКРОСХЕМЫ | 1991 |
|
RU2040131C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ КОМПОНЕНТОВ | 2023 |
|
RU2826900C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГИБКОЙ МИКРОПЕЧАТНОЙ ПЛАТЫ | 2014 |
|
RU2556697C1 |
Способ формирования контактных окон в слое защитного основания высоковольтного прибора | 2016 |
|
RU2645920C2 |
Авторы
Даты
1974-10-15—Публикация
1972-08-24—Подача