Способ получения покрытий вольфрама Советский патент 1974 года по МПК C23C11/00 

Изобретение относится к области покрытий металличесьсих изделий путем термического разложения соединений на их поверхности Известен способ получения покрытий вольфрама путем термического разложения хлорида вольфрама в тлеющем разряде. Однако отмечает ся невозможность получения покрытий с аксиальной текстурой ДЮ/, что снижает работу выхода электронов с эмитирзщцей поверхности. По предложенному способу процесс осуществляют при температуре 300-160000. расходе хлорида вольфрама 1.2-2,5 г/лдин, плотности тока 50-80 ма/см и напряжЕнии горения разряда IOOQ-I3000 в Это способствует получению покрытий с аксиальной текстзфой / ПО/. Энергетические параметры термиссионных преобразователей в конечном итоге определяются работой выхода электронов с эми-j тирующей поверхности. Работа выхода электронов в значительной степени зависит от ориентации зерен / текстуры/ в поверхност ном слое при их соответствующей огранке. Наибольшая работа вшшда электронов наблюдается для текстуры / 110/. Одним из путей создания необходимой эмитирующей поверхности катода ТЭП является нанесение на конструкцио1шу10 поверхность изделия - катода вольфрамового покрытия. Требуелшй тип текстуры /TIO/, дающий наибольшую работу выхода, получают лишь при определенном сочетании нескольких параметров процесса« Так, увеличение расхода хлорида с d,2 до 2,5 г/мин, р плотности тока с 50 до 80 i.&/Gir и напряжения горения разряда с 1000 до 1300 в приводит к образованию вольфрамового покрытия с аксиальной текстурой /ИО/. Изменение указанных параметров в большую или меньшую сторону

уменьшает степень совершенства

текстуры /НО/ и пртаодит к появлению ориентировки /100/ илй /III/ соответственно. Для исключения возможного влияния подложки на образование определенного типа текстуры использута спеченные осЗразцы из карбида циркония Аналогичные результаты получают и при использовании отожженных при молибденовых образцов, в которых обнаружена весьма слабо выраженная текстура /НО/

Перед проведением процесса образования вольфрамового покрытия с текстзфой /ПО/ реакционный объем тщательно очищают и обезгаживают при температуре стенок 150-200 0 и разрежении 10 мм рт.ст. Затем нагревают гексахлорид вольфрама и устанавливают требуемый его расход /1, г/ минАи давление / 2-6 мм Прикладывают высокое напряжение между покрываемым изделием - катодом и вспомогательным электроДОМ, зажигают тлешщй разряд с необходимой плотностью /50-80ш/ ст и напряжением горения /1000-1300 в/. Температура на образце катоде поддерживается в пределах I300-I6000C. Джтельность процесса 10-30 мин, толщина осадков изменяется от аО-250 мк.

Таким образом, проведение процесса образования вольфрамового покрытия при указанных условиях обеспечивает формирование в слое аксиальной текстуры/110/,

ПРЕДМЕТ ИЗОБРЕТЕЮМ

Способ получения покрытий вольфрама путем термического разложения хлорида вольфрама в тлеющем разряде, отличающийс я тем,что, с целью получения покрытий с аксиальной текстурой /НО/, процесс осуществляют при температуре I300-I6000C, расходе хлорида вольфрама 1.2-2,5 г/мин, плотности тока 50-80 ма/скг и напряжении горения разряда 1000-1300 Be