Способ нанесения покрытия из вольфрама Советский патент 1979 года по МПК C23C11/00 

(54) СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЯ ИЗ ВОЛЬФРАДАА внеД{Зения, , метан, через натретый до 130-20О С испаритель с гекса.хлоридом вольфрама. Пример. Вольфрамовое покрытие наносится на молибденовый цилиндрический образец с глухим торцом. Параметры процёсса-состав рабочей смеси: гексахлорид вольфрама + метан, атомное соотношение углерода.и вольфрама в смеси 1/2О, температура подложки - 1450°С, плотность тока тлеющего разряда 17 мА/см напряжение горения - 1250 В, давление в рабочей камере - 0,2-О,3 мм рт.ст. При этом скорость образования покрытия составляет 3,9 мкм/мин. Т Образованное таким образом вольфрамовое покрытие с текстурой (110) обладает ровной и гладкой поверхностью (максимальная высота профиля вольфра мового покрытия « 0,6 мкм). Микротвердость покрытий составляет 80О- 11ОО кг/мм и прочность на разрьш 11 кг/мм . Использование предлагаемого способа нанесения покрытия позволяет получать покрытие с шероховатостью поверхности, составляющей несколько микрон, что дает возможность очтсазаться от последующей механической обработки пЪкрытий. Формула изобретения Оюсоб нанесения покрытия из вольфрама с аксиальной текстурой (НО) разложением гексахлорида вольфрама в тлеющем разряде при 1300-1600 С, плотности тока до 80 мА/см и напряжении разряда по 20ОО В, о т л и ч а ющ и и с я тем, то, с целью уменьшения шероховатости покрытия, в состав рабочей среды дополнительно вводят газ, содержащий элемент внедрения, причём атомное соотношение элемента внедрения и вольфрама в рабочей среде составпяет от 1/1ООО до 1/10. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР № 449116, кл. С 23 С 11/ОО, 1969.