1
Изобретение касается позитивного фоторезиста, используемого в полиграфической и ра/щоэлектронной промышленности.
Известны позитивные фоторезисты на основе эфиров ортонафтохинондназидов (светочувствительный продукт) в сочетании со щелочерастворимыми фенолформальдегидны- ми смолами (пленкообразующий компонент) Недостатком известных позитивных фоторезистов является (Дефектность защитного рельефа и недостаточная стойкость их пленок в щелочах.
: В предлагаемом фоторезисте CBeTO4yBciv вительный компонент-нафтохинондиазид : взят в количестве 5-40% от веса пленкообразующего компонента, составленного из фенолформальдегидной и эпоксидной смол в весовом соотношении 2:1.
: Проявление органическим растворителем
экспонированного актиничным излучением рельефа осуществляют после задубливания экспонированной пленки.
Позитивное изображение с применением этр го фоторезиста получают следующим образом. Подложка с нанесённой пленкой фотора;зиста экспонируется актнничным светом через фотомаску, а затем подвергается термообработке (задубливанию), в процессе которой происходит сшивка незасвеченных
участков пленки, которая теряет способность растворяться в органы Ч1еских раство, рителях. Засвеченные участки пленки остаются практачески несшитыми и легко удаляются органическими растворителями, что позволяет получить позитивное изображение4 Позитивные фоторезисты данного состава характеризуются низким содержанием свете вствнтельного продукта, благодаря чему в растворителях типа циклогексанона и
г этилцеллозольва получают высоковязкую композицию. Для известных фоторезистов
неосуществимо, так как нельзя перевести в раствор большое количестио (вО% от веса пленкообразующего компонента) светочувствительного продукта, обладающего относительно невысокой растворимостью. Предлагаемый фоторезист характеризуется
. повышенной по сравнению с фоторезистами на основе фенолформальдегидных смол адгезией к стеклу. Разрещакнцая способность
3
предлагаемого фоторезиста составляет не менее 200 линий/мм.
Пример 1. 14О мг эфира 1,2-нафтрхинондиазид-( 2 )-5-сульфокислоты и фенолформальдегидной смолы к 1,4 г
смолы Э-ОО С типа .Фенокси растворяют в 14 мл циклогексанона. Раствор фильтруют и нанося5 методом центрифугирования на алюминиевую пластинку. Пленку фоторезиста сушат при 9О°С в течение 15 экспонируют через фотомаску (штриховая мирра. Затем проводят термообработку пленки при 140°С в течение 2О мин, проявляют рельеф в циклогексаноне в течение 40 сек и травят в 5%-ном водном растворе КОН в течение 1О мин. Получают изображение на алюминиевой пластине с минимальной шириной штриха 20 мкм,
Пример 2. 140 мг эфира 1,2-нафтахинондиазид-(2)-5-сульфокислоты и бисфенола и 1,4 г смолы Э-ОО С типа Фенокси растворяют в 14 мл циклогексанона. Нанесение, обработку фоторезиста и травление подложки проводят, как в при- мере 1, .Получают элемент изображения с шириной штриха 20 мкм.
Пример 3. Операции выполняют в последовательности, указанной в примере 1, но с использованием в качестве свето- чувствительного продукта эфира 1,2-нафто- хинондиазид-(2 )-5-сульфокислоты и продукта конденсации бисфенола с формальдегидом (молярное отношение 2:2). Получают элемент изображения с шириной штриха 2О мкм.
Пример 4. Операции вылолняк г в последовательности, указанной в примере
1, но с использованием в качестве подложки обычного стекла. После травления на подложке получают минимальный элемент с шириной штриха в мкм.
Пример 5. 7,5 г эфира 1,2-нафтохинондиазид-( )-5-сульфокислоты и фенолформальдегидной смолы, 12,5 г фенолформальдегидной смолы и 6,25 г эпоюсидной смолы Э-5О растворяют в 13О мл диоксана. Раствор фильтруют и наносят на стеклянную пластинку. Пленку фоторезиста сушат при 9О°С в течение 15 мин. и экспонируют через фотомаску (штриховая
ирра). Затем проводят термообработку при в течение 20 мин, проявляют рельеф в ацетоне в течение 30 сек. После равления на подложке получак т минимальный элемент с шириной штриха в 4,5 мк.
Предмет изобретения
Позитивный фоторезист, состоящий из пленкообразующего компонента - смеси эпоксидной и фенолформальдегидной смол, светочувствительного компонента - производного нафтохинондиазида и растворителя, отличающийся тем, что с целью увеличения щелочестойкости и уменьшения дефектности зашитно1Х) рельефа, в его составе светочувствительный компонент взят в ко;шчестве 5-4О% от веса пленкообразующего, составленного из фенолформальдегидной и эпоксидной смол в весовом соотношении 2:1.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЗИТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА | 2010 |
|
RU2427016C1 |
Позитивный фоторезист | 1978 |
|
SU781745A1 |
Светочувствительный негативный состав | 1972 |
|
SU466480A1 |
Позитивный фоторезист | 1981 |
|
SU1068879A1 |
ПОЗИТИВНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ | 1985 |
|
SU1364051A1 |
Способ получения негативного изображения на позитивном фоторезисте | 1978 |
|
SU1109708A1 |
СПОСОБ ФОТОЛИТОГРАФИИ | 1996 |
|
RU2096935C1 |
Позитивный фоторезист | 1978 |
|
SU744426A1 |
Светочувствительная композиция для изготовления диэлектрических слоев толстопленочных микросхем | 1981 |
|
SU1123012A1 |
ПОЗИТИВНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ | 1994 |
|
RU2100835C1 |
Авторы
Даты
1974-11-30—Публикация
1973-02-19—Подача