Позитивный фоторезист Советский патент 1974 года по МПК G03C1/68 G03C1/52 

Описание патента на изобретение SU451978A1

1

Изобретение касается позитивного фоторезиста, используемого в полиграфической и ра/щоэлектронной промышленности.

Известны позитивные фоторезисты на основе эфиров ортонафтохинондназидов (светочувствительный продукт) в сочетании со щелочерастворимыми фенолформальдегидны- ми смолами (пленкообразующий компонент) Недостатком известных позитивных фоторезистов является (Дефектность защитного рельефа и недостаточная стойкость их пленок в щелочах.

: В предлагаемом фоторезисте CBeTO4yBciv вительный компонент-нафтохинондиазид : взят в количестве 5-40% от веса пленкообразующего компонента, составленного из фенолформальдегидной и эпоксидной смол в весовом соотношении 2:1.

: Проявление органическим растворителем

экспонированного актиничным излучением рельефа осуществляют после задубливания экспонированной пленки.

Позитивное изображение с применением этр го фоторезиста получают следующим образом. Подложка с нанесённой пленкой фотора;зиста экспонируется актнничным светом через фотомаску, а затем подвергается термообработке (задубливанию), в процессе которой происходит сшивка незасвеченных

участков пленки, которая теряет способность растворяться в органы Ч1еских раство, рителях. Засвеченные участки пленки остаются практачески несшитыми и легко удаляются органическими растворителями, что позволяет получить позитивное изображение4 Позитивные фоторезисты данного состава характеризуются низким содержанием свете вствнтельного продукта, благодаря чему в растворителях типа циклогексанона и

г этилцеллозольва получают высоковязкую композицию. Для известных фоторезистов

неосуществимо, так как нельзя перевести в раствор большое количестио (вО% от веса пленкообразующего компонента) светочувствительного продукта, обладающего относительно невысокой растворимостью. Предлагаемый фоторезист характеризуется

. повышенной по сравнению с фоторезистами на основе фенолформальдегидных смол адгезией к стеклу. Разрещакнцая способность

3

предлагаемого фоторезиста составляет не менее 200 линий/мм.

Пример 1. 14О мг эфира 1,2-нафтрхинондиазид-( 2 )-5-сульфокислоты и фенолформальдегидной смолы к 1,4 г

смолы Э-ОО С типа .Фенокси растворяют в 14 мл циклогексанона. Раствор фильтруют и нанося5 методом центрифугирования на алюминиевую пластинку. Пленку фоторезиста сушат при 9О°С в течение 15 экспонируют через фотомаску (штриховая мирра. Затем проводят термообработку пленки при 140°С в течение 2О мин, проявляют рельеф в циклогексаноне в течение 40 сек и травят в 5%-ном водном растворе КОН в течение 1О мин. Получают изображение на алюминиевой пластине с минимальной шириной штриха 20 мкм,

Пример 2. 140 мг эфира 1,2-нафтахинондиазид-(2)-5-сульфокислоты и бисфенола и 1,4 г смолы Э-ОО С типа Фенокси растворяют в 14 мл циклогексанона. Нанесение, обработку фоторезиста и травление подложки проводят, как в при- мере 1, .Получают элемент изображения с шириной штриха 20 мкм.

Пример 3. Операции выполняют в последовательности, указанной в примере 1, но с использованием в качестве свето- чувствительного продукта эфира 1,2-нафто- хинондиазид-(2 )-5-сульфокислоты и продукта конденсации бисфенола с формальдегидом (молярное отношение 2:2). Получают элемент изображения с шириной штриха 2О мкм.

Пример 4. Операции вылолняк г в последовательности, указанной в примере

1, но с использованием в качестве подложки обычного стекла. После травления на подложке получают минимальный элемент с шириной штриха в мкм.

Пример 5. 7,5 г эфира 1,2-нафтохинондиазид-( )-5-сульфокислоты и фенолформальдегидной смолы, 12,5 г фенолформальдегидной смолы и 6,25 г эпоюсидной смолы Э-5О растворяют в 13О мл диоксана. Раствор фильтруют и наносят на стеклянную пластинку. Пленку фоторезиста сушат при 9О°С в течение 15 мин. и экспонируют через фотомаску (штриховая

ирра). Затем проводят термообработку при в течение 20 мин, проявляют рельеф в ацетоне в течение 30 сек. После равления на подложке получак т минимальный элемент с шириной штриха в 4,5 мк.

Предмет изобретения

Позитивный фоторезист, состоящий из пленкообразующего компонента - смеси эпоксидной и фенолформальдегидной смол, светочувствительного компонента - производного нафтохинондиазида и растворителя, отличающийся тем, что с целью увеличения щелочестойкости и уменьшения дефектности зашитно1Х) рельефа, в его составе светочувствительный компонент взят в ко;шчестве 5-4О% от веса пленкообразующего, составленного из фенолформальдегидной и эпоксидной смол в весовом соотношении 2:1.

Похожие патенты SU451978A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЗИТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА 2010
  • Афанасьев Михаил Мефодъевич
  • Эрлих Роальд Давидович
  • Беклемышев Вячеслав Иванович
  • Махонин Игорь Иванович
  • Филиппов Константин Витальевич
RU2427016C1
Позитивный фоторезист 1978
  • Балашова Надежда Григорьевна
  • Тимерова Нелли Дмитриевна
  • Мозжухин Дмитрий Дмитриевич
SU781745A1
Светочувствительный негативный состав 1972
  • Эфрос Лев Соломонович
  • Юрре Татьяна Андреевна
  • Коробицина Ирина Кирилловна
  • Динабург Валерия Анатольевна
  • Орлова Диана Николаевна
SU466480A1
Позитивный фоторезист 1981
  • Архипова Анджелика Сергеевна
  • Баранова Елена Максовна
  • Егорова Лариса Александровна
  • Новотный Станислав Иосифович
  • Эрлих Роальд Давидович
SU1068879A1
ПОЗИТИВНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ 1985
  • Котлова Л.Ф.
  • Суржин В.Н.
  • Карапетян Н.Г.
  • Григорьева Н.Н.
  • Постолов В.С.
  • Динабург В.А.
  • Яковлев Б.З.
SU1364051A1
Способ получения негативного изображения на позитивном фоторезисте 1978
  • Бузуев Михаил Васильевич
  • Федоров Юрий Иванович
  • Егорочкин Алексей Николаевич
  • Воскобойник Ганна Александровна
  • Разуваев Григорий Алексеевич
SU1109708A1
СПОСОБ ФОТОЛИТОГРАФИИ 1996
  • Смолин В.К.
  • Донина М.М.
RU2096935C1
Позитивный фоторезист 1978
  • Архипова Анджелика Сергеевна
  • Вайнер Александр Яковлевич
  • Вишневская Людмила Николаевна
  • Динабург Валерия Анатольевна
  • Лебедева Вера Георгиевна
  • Мамонова Надежда Ивановна
  • Мамонова Нина Марковна
  • Овчинникова Анна Ивановна
  • Эрлих Роальд Давыдович
SU744426A1
Светочувствительная композиция для изготовления диэлектрических слоев толстопленочных микросхем 1981
  • Степанова Ирина Павловна
  • Шиханов Владимир Александрович
  • Тихонова Наталья Анатольевна
SU1123012A1
ПОЗИТИВНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ 1994
  • Ванников А.В.
  • Гришина А.Д.
  • Кольцов Ю.И.
  • Кудрявцев Е.Н.
  • Тедорадзе М.Г.
  • Хазова Г.О.
RU2100835C1

Реферат патента 1974 года Позитивный фоторезист

Формула изобретения SU 451 978 A1

SU 451 978 A1

Авторы

Парамонов Александр Иванович

Прохоцкий Юрий Михайлович

Даты

1974-11-30Публикация

1973-02-19Подача