Раствор для удаления защитного рельефа, сформированного из позитивного фоторезиста на основе нафтохинондиазидов и фенолформальдегидных смол Советский патент 1974 года по МПК G03C1/68 

1

Изобретение относится к фотолитографии.

Известен раствор для удален ия защитного рельефа, сформированного из позитивного фоторезиста 1на основе нафтохинонд.иазидов и фенолформальдегидных смол, с поверхности кремниевых пластин, состоящий из перекиси водорода и гидроокиси аммония. Однако этот раствор недостаточно пол«о удаляет защитный рельеф « оргалические загрязнения с иоверхности иолуироводниковых пластин.

Целью изобретения является эффективное удаление рельефа и повышение чистоты иолерхности полуироводвика.

Для этого в раствор введен этиленгликоль .при следующем соотношении комноиентов, об. ч.:

Перекись водорода (Ю /о-ная)12

Этиленгликоль1

Гидроокись аммония2

Время проведения процесса удаления рельефа этим растворо.м при температуре 60-80°С составляет - 15 .

Этиленглн коль является хорошим растворителем пол1нмерных материалов сам по себе и в композиции с . К тому же он является хорошим комплексообразователем для гидроокисей большинства металлов, в том числе для Gir, 1C, Na.

Перекись водорода является хорошим окис,(итeлe как в кислой, так и в щелочной среде.

смот окислитель окисляет этиленгл иколь до щавелевой кислоты, а последиюю до СОо и И2О, что облегчает утил зацию отходов.

Предлагаемый раствор имеет следующие нреимущества: совмещается операция удаления позитивного фоторезиста с операцией ..имической обработки поверхности кремниевых :;ластш1 перед диффузионным ироцессом и формированием плепки на ней;

повышается эффективность удален ия позитивных фоторезистов, подвергнутых как низко-, так и высокотемпературиому дублению;

улучшается чистота поверхностей кремниевых пластики;

исключается применение агрессивиых кислот П25О4. ) -и легковоонламеняющихся жидкостей;

допустима утилизация отработаиного раствора в кислотно-щелочной канализации;

продолжительность технологического процесса удаления защитной полимерной маски с нозерхносги иластип сокращается в 2-3 раза ;iO сравиеНИю с 1фоцессол, где для удаления рельефа применяется раствор на основе гидроокиси аммоння и перекиси водорода.

П р и м е р. Раствор для удаления защитного рельефа, сформнрованного из иозитивиого фоторезиста на основе нафтохиноидиазидов и феиолфор.мальдег1 дных смол нриготавливают

:теклянный СОСУД 12 об. ч.

в

сливанием

10%-ной НгОг, I об. ч. CgHsOo и 2 об. ч. NH4OH. Раствор нагревают до температуры 60-80°С. В пего помещают кассету с кремииевыми пластинами, на окисленной поверхности которых имеется защитная полимерная маска и выдерживают в течеиие 15-20 мии. Кассету с Т1ла€тш1ами вынимают и опускают в деионнзовавную воду, в которой возбуждается ультразвуковая волна, выдерживают в течен ие 3 мип и сущат в вакуумном щкафу. Этот раствор можно использовать еще раз, после чего его выливают в кислогную «анализац-ию. Критерием чистоты окисленной поверхности кремния является ее гидрофильность (краевой угол смачивания водой равен нулю), а также отсутствие на поверхности светящихся точек в темпом поле оптического микроскопа.

Предмет изобретения

Раствор для удаления защитного рельефа, сформнрованного из позитивного фоторезиста па основе нафтохипондиазидов и фенолформальдегидных смол, с поверхностей кремниевых пластин, содержащий перекись водорода и гидроокись аммония, отличающийся тем, что, с целью эффективного удаления рельефа и повышения чистоты повер.хности полупроводинка, в его состав введен этнленгликоль при следующем соотношении компонентов, об. ч.: Перекись водорода (--10%-иая)12

ЭтиленгликольJ

Гидроокись аммония2