1
Изобретение предназначено для удаления защитных полимерных масок с поверхности кремниевых пластин и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов с применением фоторезистов на основе нафтохинондиазидов и фенолформальдегидных смол.
Известен раствор, в котором эффективно разрушается пленка фоторезистов, следующего состава 1, вес. %:
Едкое кали6-4
Изопропиловый спирт 32-34 Вода60-64
Однако при удалении защитной полимерной маски данный раствор частично стравливает поверхность кремния.
Целью изобретения является раствор, обеспечивающий высокую чистоту поверхности при неизменном ее рельефе.
Эта цель достигается тем, что в водно-щелочной раствор введена перекись водорода при следующем соотношении компонентов, вес. %:
Щелочь (например, едкое кали) 0,,0 Перекись водорода2,0-10,0
ВодаОстальное
В предлагаемый раствор перекись водорода введена для предотвращения травления щелочью кремния. При этом удается получить более чистую поверхность пластин после снятия фоторезиста.
Пример 1. Процесс фотолитографии проводят на термически окисленных пластинах кремния марки КДБ-10 диаметром 40 мм. Толщина окисла составляет 0,4-0,5 мкм. Для получения защитных полимерных масок используют позитивный фоторезист марки ФП-383, толщина пленки фоторезиста составляет 0,8-1,2 мкм.
Удаляют защитную полимерную маску путем двукратной в течение 10-15 мин обработки пластин в нагретом до 50-60°С растворе следующего состава, вес. %: Едкое кали0,4
Перекись водорода3,8
Вода95,8
Пластины промывают проточной деионизированной водой (удельное сопротивление воды 12 мОм-см) в течение 10 мин и сушат на центрифуге. Плотность кристаллитов SiOz на этих пластинах после проведения процесса диффузии сурьмы составляет 1-1 У--2103 см-г.
Формула изобретения
Раствор для удаления защитных полимерных масок с поверхности кремниевых пластин, содержащий воду и щелочь, отличающийся тем, что, с целью повышения чисто3ты поверхности при пеизменном ее рельефе, он содержит перекись водорода при следующем соотношении компонентов, вес. %: Щелочь 0,4-4,0 Перекись водорода 2,0-10,05 Вода остальное 4 Источник информации, принятый во внимание при экспертизе: 1. Авторское свидетельство СССР № 448253, М. Кл. С 23f 1/00, 08.01.73.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Анизотропный травитель | 1976 |
|
SU557434A1 |
Травитель | 1973 |
|
SU448253A1 |
Раствор для удаления защитного рельефа, сформированного из позитивного фоторезиста на основе нафтохинондиазидов и фенолформальдегидных смол | 1973 |
|
SU455312A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОСТОЙКОГО ПОЗИТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА | 2008 |
|
RU2379731C2 |
Раствор для травления силицидов металлов | 1991 |
|
SU1795985A3 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ | 1992 |
|
RU2012094C1 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ 3D МИКРОСТРУКТУР КРЕМНИЯ МЕТАЛЛ-СТИМУЛИРОВАННЫМ ТРАВЛЕНИЕМ | 2016 |
|
RU2620987C1 |
КОМПОЗИЦИИ ДЛЯ УДАЛЕНИЯ РЕЗИСТА И СПОСОБЫ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВ | 2010 |
|
RU2551841C2 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 2012 |
|
RU2515420C2 |
СПОСОБ АНИЗОТРОПНОГО ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ МИКРОСТРУКТУР В ЦИКЛИЧЕСКОМ ПРОЦЕССЕ НИТРИДИЗАЦИЯ-ТРАВЛЕНИЕ | 2022 |
|
RU2796239C1 |
Авторы
Даты
1976-12-25—Публикация
1974-05-07—Подача