Устройство дешифрации на цилиндрических магнитных доменах Советский патент 1975 года по МПК G11C11/14 H03K13/247 

1

Изобретение откосится к области вычисл-ительной тех:ник1И и -может быть использо.ва1Н(5 в запоминающих устройствах для предварительной логической обработки подлежащей хранению информации.

Известные устройства дешифрации на цилиндрических магиитаых доменах (ЦМД), содержащие для Л -разрядного адресного слова 2- ИСточНИКОв доменов, 2 каналов продвижения ЦМД, образованных ферромапнит.ньши аппликациями и 2N токопроводящих аппликаций, каждая из которых образует в .местах пересечения с каналами продвижения ЦМД элементов воздействия на домены и связана с €оот1ветствующим разрядом регистра входного слова, использ тот дополнительные ветви продвижения ЦМД и анипиляторы домеfflOB, что усложняет схему устройства. При этом В таком устройстве каждое |Слово передается на выход с задержкой, равной времени продвижения домена ,по ооответстзующему каналу от входа устройства к его выходу.

Цель изобретения - увеличение быстродействия и упрощение устройства.

Это достигается тем, что каналы продвижения ЦМД выполнены в виде последовательности динамических ячеек, составляющих компрессор, а элементы воздействия на домены - в виде петель коллапсирования - зарождения доменов, каждая из которых охватывает кон2 |: , , ,

цы соответствующих ферромагнитных аппликаций, расположенных параллельно ка-налу продвижения ЦМД, обращенные в сторону источника доменов.

На чертеже показана схема устройства дешифрации на цилиндрических .магнитных доменах для двухразрядного входного адресного слова.

На пластине 1 магнитодноосного кристалла

расноложены система ферромагнитных аппликаций, состоящая из аппликаций 2 (прямоугольных и Т-образных) и образующая каналы продвижения ЦМД 3-6, исгочники доменов ,и токопроводящая аппликация И.

На другой стороне -пластины 1 размещены токопроводящие аппликации 12-15 (для прямых и инверсных значений входных переменных) , каждая из которых охватывает концы соответствующих ферромагнитных аппликаций, размещенных параллельно каналу продвижения ЦМД, обращенные в сторону источника доменов, и образует с аналогичными аппликациями других каналов элемент коллапсирования - зарождения доменов.

По токопроводящей аппликации 11 пропускают ток. При этом «зародышевый ЦМД растягивается в полосовой домен на площади кристалла, ограниченной токопроводящей аппликацией И. В соответствии с кодом, занисанным в регистре адресного слова, по одной

из двух проводящих аппЛ:Икаций, связанных с соответствующим триггером реки1стра входного слова, пролускают импульсный ток коллапсирования ЦМД, а по другой - ток противоположного налравления.

Если в регистре адресного Слова записан код 10, по проводящим аппликациям 12 и 15 пропускают импульсный ток, коллалсирующий в соответствующих динамических ячейках домейы, оставшиеся от предыдущей фазы дегаифрации. Токи же противоположного направления в токолроводящих аппликациях 13 и 14 вырезают из полосового домена, ограниченного токолроводящей аппликадией II, домены, которые при прекращении тока а токопроводящей аппликации 11 растягиваются на площади, ограниченной токалроводящими аплликация,м,и 13, и 14.

Пр,и включении управляющего поля и прекращении с некоторой задержкой импульсных TOKOiB через токолроводящие аппликации 12- 15 в соответствующих динамических ячейках лод концами ферромагнитных аппликаций, параллельных каналам продвижения ЦМД, обращеннЫМИ в сторону источников доменов остаются ЦМД (как результат деления полосового домена). Только в канале 4 продвижения ЦДМ все динамические ячейки заняты доменами и двоичная инфор:мация, представленная наличием или отсутствием доменов на входе устройства, передается на его выход вдоль канала 4 за один цикл врап1ения вектора управляющего поля.

Предмет изобретения

Устройство дешифрации на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД), содержащее для Л -разрядного входного слова 2 источников доменов, 2 каналов продвижения ЦМД, образованных ферромагнишьши аппликациями и 2N токопроводящих аппликаций, каждая из которых образует в .местах пересечения с каналами продвижения ЦМД элементов воздействия на домены и связана с соответствующим разрядом регистра входного слова, отличающееся тем, что, с целью упрощения быстродействия и упрощения устройства, каналы продвижения ЦМД выполнены в виде последовательности динамических ячеек, составляющих компрессор, а элементы воздействия на домены - в виде летель коллапсирования - зарождения доменов, каждая из которых охватывает концы соответствующих ферромагнитных аппликаций, расположенных параллельно каналу продвижения ЦМД, обращенные в сторону источника доменов.