Устройство для рентгеновской топографии Советский патент 1975 года по МПК G01N23/20 

1

Изобретение относится к рентгеновской топографии монокристаллов.

Известно устройство для рентгеновской топографии, содержащее источник рентгеновских лучей, коллиматор, держатель исследуемого кристалла, диафрагму с отверстием, расположенным на пути дифрагированного пучка, кассету с фотопленкой, устройства для синхронного перемещения исслдуемого кристалла и кассеты с фотопленко относительно рентгеновского пучка.

Цель изобреа-ения - обеспечить возможность изучения распределения дефектов по толщине кристалла.

Это достигается тем, что перед иccлeд емым кристаллом и за ним установлены параллельно однотипные кристаллы, причем сумма толшин этих кристаллов равна толщине исследуемого.

Кроме того, кристаллы могут быть вы полнены в виде клиньев и снабжены средствами для их перемещения относительно исследуемого.

Перед исследуемьш образцом 1 толщи(ной и. (см. чертеж) устанавливают параллельно кристалл-конденсор 2 толщиной d с1 образцом - кристалл-объектив

3 толшшюй d (GL - Ot . Каждый раз

используется только отраженный пучок, а проходящие пучки убираются соотвеа-ствующими экранами 4-6.

Благодаря конденсору образец 1 освещается щироким пучком, представляющим собой изображение щели в кристалле-конденсоре 2.

Пучок испытывает внутри исследуемого кристалла дифракционное сжатие и на глубине а у„равной толщине кристалла-конденсора 2 дает узкое изображение исходной

щели с точностью J ,у Q, где Л 2/г 6 п экстинкционная длина с/ -гол Брэгга.

Кристалл-объектив 3 (}юкусирует на фотопластинку или иной приемник изображ.еиие слоя, расположенного на глубине С1/ от

поверхности. Таким образом, бла1юдаря дифракционной фокусировке рентгеновских лучей внутри исследуемого образца в рен г(геновское изображение дают преимуществен34ный вклад дефекты, расположенные в сравни тельно тонком слое на глубине С f . Смена дополнительных пластинок или использование вместо них клиньев поэволяет исследовать дефекты на разпичной глубине под поверхностью образца. Ослабляя вклад дефектов, расположенных вне плоскости фокуса, фокусировка пучка позволяет исследовать кристаллы с более высокой плотностью дефектов и расширяет область применения рентгеновской топогра фии.. Предмет изобретения I 1. Устройство для рентгеновской топо графии, содержащее источник рентгеновских лучей, коллиматор, держатель иссле54дуемого кристалла, диафрагму с отверстием, расположенным на пути дифрагированного пучка, кассету с 4ютош1енкой, устройства для синхронного перемещения исследуемого кристалла и кассеты с фотопленкой относительно рентгеновского пучка, отличающееся тем, что, с , : целью изучения распределения дефектов по толщине кристалла, перед исследуемым кристаллом и за ним установлены параллельно однотинные кристаллы, причем сумма толщин этих кристаллов равна толщине исследуемого. 2. Устройство по п. 1, о т л и ч а юш ее с я тем, чтю кристаллы выпопнены в виде клиньев и снабжены средствами для их перемещения относительно исследуемого кристалла.