НЕЙРИСТОР Советский патент 2018 года по МПК H04N5/30

Похожие патенты SU747389A1

название	год	авторы	номер документа
Матричный накопитель для фотоэлектрического запоминающего устройства	1975	Масалов Владимир Васильевич Масловский Владимир Михайлович Тишин Юрий Иванович Холоднов Вячеслав Александрович Цилибин Борис Иванович	SU734805A1
Матричное устройство на полупроводниковых диодах	1959	Бредов А.А. Геллер И.Х.	SU130243A1
Элемент памяти	1975	Мишин А.И. Черепов Е.И.	SU570282A1
НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА	1982	Овчаренко В.И. Портнягин М.А.	SU1053638A1
ТЕРМОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ПОЛЕВОЙ ПРИБОР	2009	Беспалов Владимир Александрович Золотарев Виталий Иосифович Рудаков Григорий Александрович Рыгалин Дмитрий Борисович Федирко Валерий Алексеевич Фетисов Евгений Александрович Хафизов Ренат Закирович	RU2399064C1
КОММУТИРУЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО	1978	Гурин Н.Т.	SU719466A1
МАТРИЧНАЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ	1983	Крымко М.М. Марков А.Н. Перфилов А.В. Хатунцев А.И.	SU1294240A1
Координатно-чувствительный фоторезистор (его варианты)	1982	Клименко Виктор Максимович Тихонов Валерий Глебович Шахиджанов Сергей Сумбатович	SU1104607A1
МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА	1986	Овчаренко В.И. Портнягин М.А.	SU1385872A1
Способ получения активной структуры элемента энергонезависимой резистивной памяти	2020	Камаев Геннадий Николаевич Гисматуллин Андрей Андреевич Володин Владимир Алексеевич Гриценко Владимир Алексеевич	RU2749028C1

Формула изобретения SU 747 389 A1

Нейристор, содержащий два проводящих электрода, между которыми расположены полупроводниковый слой с S-образной характеристикой и матричные электроды, отличающийся тем, что, с целью обеспечения управляемого распространения нейристорного импульса, между проводящим электродом и матричными электродами размещен слой полупроводника с областями диэлектрика на ней, при этом матричные электроды имеют контакт со слоем полупроводника.

SU 747 389 A1

Авторы

Гурин Н.Т.

Даты

2018-07-31—Публикация

1978-04-06—Подача