Изделие с оптическим эффектом отражения Советский патент 1975 года по МПК B28D5/06 B44D5/06 

Изобрете1ше относится к тех11ической физике, в частности,к изделиям из монокри- сталлического полупроводникового материала.

Известно изделие из полупро водшшового материала, содержащее монокристалл металла 1У-У1 группы периодической систе™ мы элементов. Однако грани такого изделия не соответствуют естественным граням монокристалла и плоскостям его симметрии Таким образом, такое изделие не исчерпывает всех возможностей эффекта отражения света естественных граней и конструирования монокристаллических структур любой ометрии на периферии и внутри кристалла.

Цель изобретения - получение максимального оптического эффекта отражения.

Для этого рисунок выполнен на плоскост перпендикулярной главному кристаллографическому направлению, преимущественно вскрытыми естественными гранями по контуру и в теле монокристалла под остры.ми угламл,

На чертеже показано предлагаемое изде дне.

Изделие из монокристаллического полу проводникового материала состоит из монокристалла 1, впадины 2, отверстия 3, BbiCTjTia 4, впадины 5 в выступе, грани 6 (211), грани 7 (111) и (100) - плоскоетж, перпендикулярной главному кристаллографическому направлению (10О).

На чертеже показан монокристалл 1 с вскрытыми гранями (111) и (211) под острыми углами к плоскости (10О) по ко туру и в теле монокристалла. Контур издё ЛИЯ образован гранями 6 и7. Грани, вскрытые в теле монокристалла, образуют вради- ны 2 и 5, отверстие 3 и выступ 4, которы в свою очередь, являются деталями рисунка и вместе с контуром образуют на гшос- кости (1ОО) определенный, рисунок. Вскрытые по контуру и в теле монокристалла граШ точно совпадают с одной или несколькими основными кристаллографическими плоскостями и обладают зеркальным блеском, что обуславливает наиболы1.иш эффект отражения света.

В качестве примера приведен один из вариантов исполнения изделия по предлагаемому изобретению. Исходный монокристалл Б форме круглого слитка разрезают на ряд плоских кристаллов, одна из поверхн:остей которых ориентирована любым известным способом по одной из основных кристаллографических плоскостей исходного монокристалла. Полученные таким образом плоские кристаллы шлифуют механическим или хи мическим способами и полируют до 14 класа обработки поверхности.. ; На ориентированной поверхности моноi кристалла формируют защитные маскирующие элементы, определяющие контур изделия и его рисунок. После этого проводят травпе1ше незащищенных участков монокристалла. В зависимости от желаемого ; эффекта травление, можно исполнять поjpa3HOMy. Например, если нужно усилить эффект объемности изображения, то массирующие элементы наносят на отдельные .участки плоской поверхности монокристалла, а остальную поверхность страв швают на заданную глубину, получая элементы рисунка в вдое вь.отупов, возвышающихся над травленной поверхностью.

Вскрытые естественные грани, образующие контур и рисунок изделия, иногда покрывают (полностью или честично) тонкой пленкой для того, чтобы полу-j чить многоцветное окращивание за счет интерференции, дифракции и других возможных проявлений света.

Минамальный размер некоторых элементов предлагаемого изделия, например, перемычки между впадиной и отверстием составляет единицы микрона, что позволяет с помощью вызванных рельефных элементов получать высокохудожественные и технические изделия с наибольшим эффек-i том отражения света.

Предмет изобрете,. ния|

Изделие с оптическим эффектом отражения, выполненное из полупроводникового материала с рисунком, имеющим оптический эффект отражения, отличающееся тем, что, с целью получения максимального оптического эффекта отражения, рисунок выполнен на плоскости, перпендикулярной главному кристаллографическому направлению, преимущественно вскрытыми естественными гpшiями по контуру и в теле монокристалла под острыми углами. .