1
Изобретение относится к области вычислительной техники, в частности к разделу технологии производства запоминающих устройств на тонких магнитных пленках.
Известен способ вакуумной конденсации магнитных анизотропных пленок из пучка атомов на подогретую до 200-300°С плоскую полированную подложку, движущуюся вдоль силовых линий магнитного поля поперек узкого щелевого отверстия диафрагмы, расположенной между подложкой и испарителем с малым сравнительно с отверстием диафрагмы диаметром.
Однако магнитные пленки, изготовленные известным способом, обладают неоднородной по величине анизотропией. Так как величина анизотропии косого угла падения увеличивается с увеличением угла между нормалью к подложке и направлением пучка, то результатирующая анизотропия от центрального участка подложки к боковым относительно направления движения краям подложки возрастает. Иеоднородность поля одноосной анизотропии создает разброс амплитуд считываемых сигналов и приводит к разбросу требуемых для переключения пленочных элементов числовых токов. Величина числового тока выбирается по максимальному току, требуемому для переключения пленочного элемента с максимальным полем анизотропии, поэтому нороговые поля разрушения элементов с минимальны.м полем анизотропии будут пониженными, вследствие пониженного отнощения полей помех, наводимых числовыми токами в соседних числовых проводниках, к полю анизотропии этих элементов.
Предлагаемый способ отличается от известного тем, что нодлончку располагают относительно источника Паров магнитного сплава так, чтобы пучок атомов падал под прямым глом к боковому относите.тьно направления движения краю нодлол ки и конденсируют слой половинной толщины. Затем подложку располагают так, чтобы нучок атомов падал под нря. глом к .противоположному , и конденсируют второй слой, доращивающий пленку до требуемой толщины.
Сочетанием приемов конденсации слоев с неоднородным по площади полем апизотропип создается новый эффект - однородность поля анизотропии участков сплощных или дискретных пленок, расположенных па обн.1ей подложке.
Описывае.мый способ поясняется чертежом.
Подогретая нагревателем 1 плоская полированная подложка 2 дважды продвигается вдоль силовых линяй магнитного поля 3 над щелевой диафрагмой 4, через котснрую проходит пучОК 5 испаренных атомов. При первом продвижении подложка располагается отно
