гивания прекращают при выравнивании уровней расплава в обоих тиглях.
Выращенные монокристаллы имеют раэброс удельного электросопротивления 3-5%, Предмет изобретения
Способ вытягивания монокристяллов из расплава на перемещаемую вверх затрры с поддержанием постоянного положения уровня расплава кристаллизуемого материала относительно нагревателя .тигля за счет подъема тигля ,о тличаюш ийся тем, что, с целью уменьшения разброса электросопротивления по поперечному сечению получаемых монокристаллов вследствие более плавного самопроизвольного подъема тигля, тигель помещают в расплав о/да6именного с кристаллизуемым материала с загрузкой, количество которой достаточно для установления более высокого уровня расплава вне .
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Способ очистки поверхности расплава при выращивании монокристаллов германия | 2017 |
|
RU2641760C1 |
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ ОКСИДОВ | 2006 |
|
RU2320789C1 |
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МАРГАНЕЦ-ЦИНКОВОГО ФЕРРИТА | 1990 |
|
RU1746759C |
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ | 2003 |
|
RU2241792C1 |
| СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ РАСТВОРА В БОР-БАРИЕВОМРАСПЛАВЕ | 1971 |
|
SU422449A1 |
| Способ выращивания монокристаллов германия или кремния и устройство для его реализации | 2022 |
|
RU2791643C1 |
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОДЛОЖЕК ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ | 1992 |
|
RU2054495C1 |
| СПОСОБ ВЫТЯГИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 1990 |
|
RU2006537C1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ФТОРИДОВ КАЛЬЦИЯ И БАРИЯ | 2009 |
|
RU2400573C1 |
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ САПФИРА | 2005 |
|
RU2304641C2 |
