Изобретение относится к области выращивания монокристаллов тугоплавких оксидов из расплавов методом направленной кристаллизации и может быть использовано для получения монокристаллов сапфира, соответствующих требованиям оптоэлектроники.
Известно устройство для выращивания монокристаллов на основе сложных оксидов, представляющее собой герметичную камеру, в которую установлены вертикально перемещаемый и вращаемый шток с присоединенной к нему затравкой, водоохлаждаемый индуктор, соединенный с источником индукционного нагрева, водоохлаждаемое дно, выполненное в виде спирали, тигель, выполненный с отверстием в донной части и зафиксированный внутри индуктора в неподвижном положении, загрузочное устройство в виде герметичного бункера с механизмом подачи шихты и подающей трубкой. Внутренний объем тигля заполнен расплавом, из которого выращивают кристалл, причем расплав в процессе роста поступает в тигель через донное отверстие из дополнительного объема, образованного зазором между тиглем и индуктором. Это устройство предназначено, в основном, для выращивания алюмоиттриевых гранатов и не предназначено для выращивания монокристаллов сапфира (SU 904347 А1, 30.04.1993).
Наиболее близким с позиции объема и формы выращиваемого монокристалла, технической сущности решения и достигаемого результата является устройство для выращивания монокристаллов сапфира, содержащее установленные в вакуумной камере экраны, нагреватель, затравкодержатель с закрепленным в нем затравочным кристаллом, тигель с крышкой и формообразователем, системы регулирования скорости подъема затравочного кристалла и мощности нагревателя, в котором на крышке камеры укреплен бункер, выполненный в виде цилиндра с конусообразной верхней и нижней частями, нижняя часть содержит запорный клапан в виде усеченного конуса, на верхней части бункера установлен сильфон, который соединен с запорным клапаном с помощью штока, снабженного механизмом автоматического перемещения, нижняя часть бункера герметично вставлена в трубку, опущенную в тигель через отверстие в крышке тигля. Устройство позволяет использовать порошкообразный оксид алюминия и обеспечивает получение монокристаллов массой 12 кг с техническими характеристиками, соответствующими требованиям оптоэлектроники, и выходом годного не ниже 50% (RU 2232832 C1, 20.07.2004).
Однако при получении кристаллов большой длины и с кристаллографической ориентацией <1010> или <1102> недостатками являются наличие пустот диаметром менее 50 мкм и высокие энергозатраты, значительно отражающиеся на стоимости продукции.
Технический результат изобретения состоит в устранении скрытых пустот диаметром менее 50 мкм при получении кристаллов с поперечным размером до 100 мм и кристаллографической ориентацией <1010> или <1102> при одновременном уменьшении энергозатрат в 4-6 раз. Кроме того, устройство позволяет получать монокристаллы с низкой остаточной величиной внутренних напряжений, что является важным при дальнейшей механической обработке кристаллов.
Указанный технический результат достигается тем, что устройство для выращивания профилированных монокристаллов сапфира, содержащее вакуумную камеру с тиглем и формообразователем, вольфрамовый нагреватель, экраны, шток с затравкодержателем, снабженный механизмом подъема кристалла, установленным вне камеры, систему подпитки расплава в виде бункера с трубкой и системы управлениями нагревом и скоростью подъема кристалла, согласно изобретению, дополнительно содержит вакуумную камеру отжига, установленную над камерой с тиглем и формообразователем соосно с ней, и систему синхронизации массы выращиваемого кристалла и расхода подпитывающего материала, камера отжига имеет автономный нагреватель, высота которого равна или превышает максимальный размер длины получаемого кристалла, диаметр камеры отжига составляет 0,6-0,9 от диаметра нижней камеры, между камерами установлена перегородка с отверстиями для штока с затравкодержателем, выращиваемого кристалла и подпитки, формообразователь, выполненный в виде параллелепипеда с параллельными сквозными по высоте прорезями, установлен в тигле с зазором и закреплен на стенках тигля, высота параллелепипеда составляет 20-30% от высоты тигля, ширина прорезей составляет 0,2-0,3 мм, расстояние между ними 0,2-0,5 мм, концы прорезей в горизонтальной плоскости выполнены глухими.
Заданное соотношение диаметров нижней и верхней камер направлено на создание теплового поля, обеспечивающего снижение остаточной величины внутренних напряжений в кристалле.
Заданное соотношение высоты параллелепипеда и тигля, а также значения ширины прорезей и расстояния между ними обеспечивают скорость кристаллизации, при которой минимизируются энергозатраты и предотвращается образование скрытых пустот.
Кроме того, система синхронизации содержит датчики дифференциального взвешивания кристалла и расхода подпитывающего материала, шток снабжен механизмом осевого вращения, перегородка между камерами выполнена из вольфрамового или молибденового листа, перегородка между камерами выполнена с возможностью регулирования отверстий, формообразователь выполнен из вольфрама или молибдена, камеры и часть штока, находящаяся вне камер, снабжены системой водоохлаждения.
Устройство, названное установкой «Профиль +», и его фрагмент показаны на фиг.1 и 2.
Устройство, показанное на фиг.1, содержит вакуумную камеру (1), на которой соосно ей установлена верхняя камера (2), имеющая диаметр 0,6-0,9 от диаметра нижней камеры. Камеры разделены перегородкой (9), имеющей отверстия для штока с затравкодержателем (7) и выращиваемого кристалла, а также для поступления подпитывающего материала из системы подпитки (8) в тигель (3) с формообразователем (4). Шток снабжен механизмами подъема и осевого вращения (не показаны). Преимущественно, перегородка между камерами выполнена из вольфрамового или молибденового листа, перегородка между камерами выполнена с возможностью регулирования отверстий.
В нижней камере с тиглем установлен нагреватель (5), в верхней камере, служащей для отжига монокристаллов, установлен автономный нагреватель (6), высота которого равна или превышает длину выращиваемого кристалла. Нижняя камера снабжена дверкой, верхняя камера - смотровым окном (не показано). Система синхронизации массы кристалла и расхода подпитывающего материала (10) включает датчики дифференциального взвешивания (11), установленные соответственно на штоке (7) и на системе подпитки (8).
Формообразователь (4), представляющий собой параллепипед, преимущественно из вольфрама, с параллельными сквозными по высоте прорезями, установлен в тигле (3) с зазором и закреплен на стенках тигля. Высота параллелепипеда составляет 20-30% от высоты тигля, ширина прорезей составляет 0,2-0,3 мм, расстояние между ними 0,2-0,5 мм, концы прорезей в горизонтальной плоскости выполнены глухими. В камерах установлены экраны (12). Системы водоохлаждения, управления мощностью нагревателей и скоростью подъема кристалла на чертежах не показаны.
На фиг.2 показан формообразователь.
Работа устройства
Тигель (3) заполняют исходной шихтой в виде измельченных кусков сапфира или гранул оксида алюминия, устанавливают и закрепляют формообразователь (4) и через дверку в нижней камере или через регулируемое отверстие в перегородке между камерами помещают в нижнюю камеру (1) соосно нагревателю (5). Вставляют и центрируют в затравкодержателе, укрепленном на штоке (7), затравочный кристалл. Камеры (1) и (2) герметизируют и вакуумируют до (1-5)×10-5 мм рт. ст. Подавая мощность на нижний нагреватель, разогревают тигель до температуры расплава 2100°С и выдерживают расплав до его гомогенизации в течение 2-3 часов. Затем снижают температуру до 2050°С и опускают затравочный кристалл до формообразователя, где происходит соприкосновение затравочного кристалла с расплавом, проникающим через прорези. После выдержки в течение 1-3 минут затравочный кристалл поднимают со скоростью, обусловленной формой и величиной выращиваемого монокристалла. После установления температуры равновесия, когда затравочный кристалл уже не оплавляется и на поверхности расплава кристалл не растет (приблизительно через 20-30 минут от начала подъема), температуру снижают по заданной программе и синхронизируют массу растущего кристалла и подачу подпитывающего материала в виде гранул.
Выполнение формообразователя (4) с определенной конфигурацией и определенным расположением и размером прорезей обеспечивает наилучший фронт кристаллизации, следствием чего являются равномерность расположения центров кристаллизации (источников ступеней роста) и отсутствие пластических деформаций, вызывающих появление дефектов кристалла. Размер и расположение прорезей для получения одного из традиционных для использования в оптоэлектронике монокристаллов сапфира со стороной в поперечнике менее 100 мм и кристаллографической ориентацией <1010> или <1102> определены опытным путем.
После достижения растущим кристаллом нижней зоны нагревателя (6) на него подают мощность, обеспечивающую температуру кристалла приблизительно 1200°С, постепенно поднимая ее до 1800°С. Когда кристалл достигает заданной длины, подачу мощности на нижний нагреватель (5) прекращают. Такая возможность, обеспечиваемая устройством, позволяет значительно (в 4-6 раз) сократить энергозатраты. Благодаря конструктивному оформлению верхней камеры выращенный кристалл находится в равномерном температурном поле с требуемой температурой. После выдержки кристалла при 1800°С в течение 2-3 часов мощность нагревателя (6) снижают, обеспечивая охлаждение кристалла до комнатной температуры со скоростью 50°С/ч.
В результате получают монокристаллы, не содержащие пузырьков диаметром менее 50 мкм. Наличие скрытых пустот, не видимых невооруженным взглядом, в технологии обычно представляет собой сложную задачу, и этот дефект значительно ограничивает область применения монокристаллов сапфира. Таким образом, совокупность существенных признаков по данному изобретению обеспечивает достижение технического результата, состоящего в устранении скрытых пустот диаметром менее 50 мкм при получении кристаллов с поперечным размером менее 100 мм и кристаллографической ориентацией <1010> или <1102> при одновременном уменьшении энергозатрат в 4-6 раз и снижении величины остаточного внутреннего напряжения.
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов тугоплавких оксидов из расплавов методом направленной кристаллизации и может быть использовано для получения монокристаллов сапфира, соответствующих требованиям оптоэлектроники. Устройство содержит вакуумную камеру с тиглем и формообразователем, вольфрамовый нагреватель, экраны, шток с затравкодержателем, снабженный механизмом подъема кристалла, установленным вне камеры, систему подпитки расплава в виде бункера с трубкой и системы управления нагревом и скоростью подъема кристалла. Устройство дополнительно содержит вакуумную камеру отжига, установленную над камерой с тиглем и формообразователем соосно с ней, и систему синхронизации массы выращиваемого кристалла и расхода подпитывающего материала, вакуумная камера отжига имеет автономный нагреватель, высота которого равна или превышает максимальный размер длины получаемого кристалла, диаметр камеры отжига составляет 0,6-0,9 от диаметра нижней камеры, между камерами установлена перегородка с отверстиями для штока с затравкодержателем, выращиваемого кристалла и подпитки, формообразователь выполнен в виде параллелепипеда с параллельными сквозными по высоте прорезями, установлен в тигле с зазором и закреплен на стенках тигля, высота параллелепипеда составляет 20-30% от высоты тигля, ширина прорезей составляет 0,2-0,3 мм, расстояние между ними 0,2-0,5 мм, концы прорезей в горизонтальной плоскости выполнены глухими. Технический результат изобретения состоит в устранении скрытых пустот диаметром менее 50 мкм при получении кристаллов с поперечным размером менее 100 мм и кристаллографической ориентацией <1010> или <1120> при одновременном уменьшения энергозатрат в 4-6 раз. Кроме того, устройство позволяет получать монокристаллы с низкой остаточной величиной внутренних напряжений, что является важным при дальнейшей механической обработке кристаллов. 6 з.п. ф-лы, 2 ил.
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ САПФИРА | 2003 |
|
RU2232832C1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ | 2003 |
|
RU2230839C1 |
US 3953174 A, 27.04.1974. |
Авторы
Даты
2007-08-20—Публикация
2005-07-08—Подача