Способ управления электрическими свойствами кристаллов класса авс Советский патент 1977 года по МПК H01L21/205 

пературу кристалла, при которой растворимость взятого комгюрюнта в соециненииАВС, достаточна для настугглени5 конверсии.

Температуру источника установливают такой , чтобы обеспечить требуемую величиHyAjUj . Время отжига определяется с учетом размеров образца и знгэчения коэффициента химической диффузии цл51 сбеспечеиия однородной либо с заданным градиентом цроводимости. После завершения процесса отжига ампулу с кристаллом погружают в водный раствор поваренной соли для быстр го охлажения с целью замораживания высокотемпературного состояния.

Пример. Выращенные монокристаллый Г 31АЗп р-типа разрезают на пластины и помещают в кварцевую ампулу. Туда же добавляют металлический мышьяк в количестве 0,4-0,5 г. Ампулу откачивают мм рт. ст.) и запаивают и затем помещают в двухзонную нечь с двумя изотермическими участками. Один из участков поддерживает температуру кристалла, е другой - температуру источника. Для исключения конденсации летучего компонента температура кристалла всегда должна бь:ть выше температуры источника.

Температура кристалла, при кг/горок растворимость As в твердой фаае2пВ-(А52 Достаточна Д.ГШ получения Ц -типа проводимоети, подбирается экспериментально.

Обнаружено, что конверсию удается осуществить при отжиге кристаллов р-2inS-iAsn в области температур 8S0-900 С. Поэтому для получения П -типа проводимости указанных кристаллов температуру кристалла установливают 850-900 С, а давление пара мышьяка 2,5-4 атм.

Как показывают измерения электрических свойств отжигаемых кристаллов, для осуществления объемной конверсии р-типа проводимости в П -типа (толщина пластин 1--1,5 мм) процесс отжига проводят в течение 350-4ОО час, после чего производят закалку.

Формула изобретения

1.Способ управления электрическими свойствами кристаллов класса ABC,, путем диффузии из газовой фазы, отличающийс я тем, что, с целью осуществления конверсии типа проводимости, кристаллы исходного вещества отжигают в парах одного из легколе1учкх компонентов, входящих в состав соединения А В С.

2.Способ по п. 1, отличающийс я тем, что, с целью получения в кристаллах Zn 8-(А&2Электронной проводимости, отжиг производят в насыщенных парах мышьяка при 85О-9ОО°С.