Электрофотографическое устройство Советский патент 1976 года по МПК G03G15/04 

(54) ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО

на системами подачи 9 и контроля 10 давления и каналом для откачки рабочего газа 11, а также имеет оптическое окно 12. Зарядная полость 13 камеры служит для подачи диэлектрика и имеет отверстие 14, герметически закрьшаемое крышкой 15. Устройство также включает хладопровод 16, прижимной элемент 17 и герметическую заслонку 18. Прижимной элемент 17 служит также держателем диэлектрика для перевода в зарядную полость.

Устройство работает следующим образом.

При подготовке устройства к работе резервуар 7 криостата заполняется хладагентом, вследствие чего температура фотоприемника понижается до требуемой и обеспечивает фоточувствительность фотополупроводника в определенной области спектра. Прижимной элемент 17 обеспечивает равномерный контакт между рабочими поверхностями диэлектрика 3 и фотополупроводника 1. Оптическое изображение, проецируемое через окно 12 криостата на поверхность фотополупроводника 1, в освещенных местах уменьшает сопротивление полупроводника, что приводит к перераспределению напряжения в системе полупроводник-диэлектрик, поданного во время экспозищга на систему, и образованию скрытого электростатического изображения на поверхности диэлектрика 3. Затем диэлектрическая пленка 3 при помощи прижимного элемента 17 перемещается в зарядную полость 13 криостата. С помощью заслонки 18 полость 13 герметически изолируется от рабочей охлажденной полости 8. Затем открывают крышку 15 и через отверстие 14 извлекают диэлектрический слой со скрытым электростатическим изображением.

Диэлектрический слой со скрытым электростатическим изображением может быть проявлен как в полости криостата, так и извлечен наружу, отогрет и проявлен, причем изображение при отогреве деградирует незначительно. После этого производится замена диэлектрика 3. Затем отверстие 14 герметично закрывается крышкой 15, из полости 13 откачивается воздух, открьшается заслонка 18, диэлектрик переводится в рабочую полость 8 и прижимается к фотополупроводнику. Путем подачи газа из резервуара давление в полости 8 доводится до требуемого, и устройство готово к следующей съемке.

Чувствительность известных устройств работающих на селен, достигает ю дж при Ajp 0,6 мкм. При использовании в данном устройстве в качестве приемного слоя кремния, компенсированного гамма-излучением, чувствительность фотографического устройства составляла S-S-1.0 дж при фотографировании в области спектра до 7L 1,1 мкм. Таким образом, чувствительность увеличивается приблизительно в десять раз. При использовании таких полупроводников, как легированный германий, возможно продвижение в далекую ИК-область со значительным увеличением чувствительности. Например, в случае Gт -flu7L 10мкм

, Ge.2,n, S 1,2-10-8 дж, Т 4,2°К.

Формула изобретения

Электрофотографическое устройство, содержащее камеру, установленные в ней фотоприемную и диэлектрическую пластины и электроды, а также источник напряжения, отличающееся тем,что, сцелью повышения фотографической чувствительности устройства при фотографировании в инфракрасной области спектра, фотоприемная пластина вьшолнена в виде монокристаллического фотополупроводника, а камера представляет собой криостат с рабочей и зарядной полостями.