СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СКРЫТОГО ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕС1|^О4^ Советский патент 1972 года по МПК G03G13/00 

Изобретеиие относится к электрофотографии.

Известны способы формирования скрытого электростатического изображеиия в системе фотополупроводник - диэлектрик, оспованиые на переносе скрытого электростатического изображения через воздушный зазор с фотополуироводиика на диэлектрик во время или после экспонирования.

Чувствительность этого способа формирования изображепия недостаточна.

Для повышеиия чувствительности предложено в зазор между фотополупроводником и диэлектриком вводить газ ианрпмер азот, и выбирать такие условия перепоса (величина газового промежутка, давление и т. д.), чтобы в зазоре возникало световое излучение, усиливающее световой поток изображения.

Световое излучение, сопровождаюи;ее каждый акт ионизации в азоте, превышает световое излучение воздушного промежутка.

Способ состоит в прило кепии напряжения к электропроводным подложкам фотополупроводпнкового и диэлектрического слоев, достаточного для создания предиробойиого состоя11ия в газовом промежутке в неосвещеииых .местах и пробоя в освен1,енных местах, и экспонированин изображения. Л1е5кду фотополупроводииковым и диэлектрическим слоями помещают газ, напрнмер азот. При этом каждьп акт поинзации сопровождается излучением 5 фотоиов света.

Предмет и з о б р е т е и и я

Способ по./1у4ения скрытого электростатического изображе1П1я в системе фотополупроводник - диэлектрик, состояи;ий в переносе зарядов через газовый промежуток с фотоиолуироводиикового слоя на диэлектрический во время экспоиирования, нричем слои помещеиы на электропровод1И е подложкп, к которым приложено наиряжение, достаточное для создания предпробойного состояния в газовом нpo leжyткe в иеосиещеппых участках и пробоя в освещеипых участках, от.п/чающипся тем, что, с целью иовышения чувсгвнтельности ироцесса, в качестве газа исиользуют

азот.