Способ контроля внутренних напряжений в полупроводниковых кристаллах Советский патент 1976 года по МПК G01N3/00 

1

Изобретение относится к области исследования механических характеристик материалов и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, применяемых для изготовления электронных приборов.

Известен способ контроля внутренних напряжений в полупроводниковых материалах, в частности в монокристаллах, при котором параметры испытуемого образца, например параметры его кристаллической решетки, определяют рентгеноструктурным методом и сравнивают их с параметрами контрольного образца из того же материала, для которого внутренние напряжения известны.

Однако известный способ дает возможность получать лишь приближенную количественную оценку. К тому же он обладает низкой чувствительностью при небольших величинах внутренних напряжений.

Цель изобретения - повышение точности и чувствительности способа.

Это достигается тем, что испытуемый образец подвергают одноосному сжатию вдоль определенного кристаллографического направления, измеряют величину удельного электросопротивления по этому направлению в функции от напряжения сжатия, и по средней величине смеш,ения линейного участка этой зависимости для испытуемого образца относительно линейного участка той же зависимости, снятой для контрольного образца, судят об отношении напряжений в этих образцах.

На чертеже изображены графики исследуемых зависимостей. Согласно предложенному способу контроль осуществляется путем измерения для сравниваемых образцов зависимости удельного сопротивления от приложенного внешнего механического напряжения при одноосном сжатии. Затем для каждого образца строят график этой функции, как показано на чертеже. На кривых 1 и 2, соответствующих двум разным образцам,контрольному и испытуемому, выделяют линейные участки 3 и 4 и определяют среднюю величину смешения для точек 5 и 6, соответствующих одной и той же величине удельного сопротивления на обеих кривых. По этой величине смещения судят о разнице напряжений в образцах.

Таким образом, даже при небольших величинах внутренних напряжений можно получить более точные количественные оценки напряженного состояния полупроводниковых кристаллов.

Формула изобретения

Способ контроля внутренних напряжений в полупроводниковых кристаллах, при котором параметры испытуемого образца сравнивают с такими же параметрами контрольного образца из того же материала с известными напряжениями, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и чувствительности способа, испытуемый образец подвергают одноосному сжатию вдоль определенного кристаллографического направления, измеряют величину удельного электросопротивления по этому направлению в функции от напряжения сжатия и по средней величине смещения линейного участка этой зависимости для испытуемого образца относительно линейного участка той же зависимости, снятой для контрольного образца, судят об отношении напряжений в этих образцах.

И

Л