Спусковое устройство Советский патент 1976 года по МПК H03K3/284 

1

Изобретение относится к радиотехнике и быть использовано в импульсных устройствах.

Известно, спусковое устройство на транзисторах одного типа проводимости, содер- ж-ащёе два транзистора, включенных по схеме с общим эмиттером, при этом база первого транзистора подключена к источнику входного сигнала, а база второго транзисто ра соединена с коллектором первого транзи- стэра Г l.

Целью изобретения является повышение стабильности и внутреннего сопротивления источника входного сигнала.

Для этого в предлагаемое спусковое yciv ройство введен дополнительный транзистор, включенный по схеме с общей базой, коллектор которого соединен с базой первого тран зистора, а эмиттер соединен с коллектором второго транзистора.

Такое спусковое устройство обладает минимальным остаточным напряжевшем, большо стабильностью при работе от генератора с больщим внутренним сопротивлением с одновременным повышением нагрузочной способности.

На чертеже приведена принпипиальная электрическая схема спускового устройства.

Спусковое устройство содержит транзисторы 1 и 2 одного типа проводимости, включенные по схеме с общим эмиттером. База транзистора 1 подключена к источнику 3 входного сигнала, а база транзисто.ра 2. соединена с коллектором транзистора 1.

Дополнительный транзистор 4 включен по схеме с общей базой. Коллектор транзистора 4 соединен с базой транзистора 1, а эмиттер - через резистор 5 соединен с коллектором транзистора 2.

При входном токе, равном нулю, транзистор 1 заперт, а транзистор 2 насыщен, и на выходе 6 потенциал близок к нулю. Через эмиттер транзистора 4 протекает ток.

Устройство сработает тогда, когда транзистор 2 начнет выходить из насыщения. При этом повышается выходное напряжение и уменьшается ток эмиттера транзистора 4, то есть развивается регенеративный процесс.

3

После срабатывания потенциал на выходе 6 близок к потенциалу источника 7 вследствие насыщения транзистора 1 и перехода транзистора 2 в отсечки. Транзистор 4 в зависимости от величины резистора 5

может остаться в активной области или же перейти в режим отсечки. Если транзистор 4 после срабатывания остается в активной области, то отпускание его произойдет сразу же после того, как входной ток достигнет такой величины, при которой транзистор 2 начнет открываться, вследствие чего начинает уменьшаться выходное напряжение и ток обратной связи,, протекающий через резистор 5, что вызывает регенеративный процесс.

Максимально возможная мощность нагрузки в данном устройстве определяется такой величиной резистора 8, при которой транзистор 2 после регенерации находится на грани отсечки и насыщения.

Источником входного тока спускового устройства может быть источник с любым внутренних: сопротивлением, в том числе и генератор тока. Известное устройство не

4

может работать эт источника с большим внутреННи м сопротивлепие,

Формула изобретения

Спусковое устройство на транзисторах одного типа проводимости, содержащее два транзистора, включенные по схеме с общим эмиттером, при этом база первого транзистора подключена к источнику входного сигнала, а база второго транзистора соединена с коллектором первого транзистора, о т- личающееся тем, что, с целью повыщения стабильности и внутреннего сопротивления источника входного сигнала, в спусковое устройство введен дополнительный транзистор, включенный по схеме с об щей базой, коллектор которого соединен с базой первого транзистора, а эмиттер соединен через резистор с коллектором второго транзис1-ора.

Источники информации, принятые во вниман 1епри экспертизе:

1, Авторское свидетельство СССР № 197686, приоритет 2О июня 1966 г.

7

-L +

8