Центрифуга для нанесения покрытий Советский патент 1976 года по МПК H01L21/47 

Описание патента на изобретение SU517086A1

(54) ЦЕНТРИФУГА для НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ

Похожие патенты SU517086A1

название год авторы номер документа
Центрифуга для нанесения фоторезиста на пластины 1983
  • Зеленский Валентин Александрович
SU1113180A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТРЕХМЕРНОГО ПОЛИМЕРНОГО ЭЛЕКТРОННОГО МОДУЛЯ 2001
  • Сасов Ю.Д.
RU2193259C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА ВРАЩЕНИЕМ 1992
  • Иванов А.С.
  • Валентинов М.М.
  • Недоспасов В.Г.
  • Панов В.Д.
RU2012093C1
Устройство для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом 2018
  • Самсоненко Борис Николаевич
  • Разувайло Сергей Николаевич
RU2674405C1
Центрифуга для нанесения фоторезис-TA HA плАСТиНы 1979
  • Востриков Лев Федорович
  • Степанов Валерий Васильевич
  • Фандеев Владимир Викторович
SU850220A1
Устройство для нанесения покрытия на подложки 1978
  • Никулин Николай Иванович
SU790376A1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКЕ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 1992
  • Лискин Л.А.
RU2046450C1
Устройство для нанесения слоя фоторезиста 1983
  • Юсуф-Заде Эльмар Казанфар Оглы
SU1115137A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОЧНОГО ПОКРЫТИЯ НА ПОДЛОЖКУ 1988
  • Чиркунов А.И.
  • Витовтова А.Н.
SU1674644A1
Устройство для нанесения фоторезиста на полупроводниковые пластины 2020
  • Комаров Валерий Николаевич
  • Комаров Николай Валерьевич
RU2761134C2

Иллюстрации к изобретению SU 517 086 A1

Реферат патента 1976 года Центрифуга для нанесения покрытий

Формула изобретения SU 517 086 A1

1

Изобретение относится к технологии нанесения различных покрытий на плоские проводящие и полупроводящие пластины, например фоторезиста на полупроводниковые пластины, при производстве полупроводниковых приборов.

В настоящее время в полупроводниковом производстве используются центрифуги, содержащие столик с металлическим основанием, оправку для закрепления пластин с помощью вакуума, канал для подвода вакуума, эл октродви гатель.

Недостатками известных центрифуг являются: ненадежность закрепления полупроводниковых пластин; необходимость использовать металлический пинцет или вакуумный присос для снятия пластин со столика центрифуги после нанесения фоторезиста;необходимость применения дорогостоящего и громоздкого вакуумного оборудования.

Цель изобретения - повышение надежности закрепления пластин.

Сущность изобретения заключается в том что на металлическое основание, соединенное с источником высокого напряжения уста

новлен полупроводниковый диск, который свободно покрывается полимерной пленкой.

На чертеже показана предложенная центрифуга.

Металлическое основание 1 центрифуги жестко связано с валом 2 электродвигателя На это основание проводящим клеем наклеивается полупроводниковый диск 3 толщиной 2-3 мм с удельным объемным электрическим сопротивлением 10 - 1Q Ом-м, на который свободно накладывается полимерная пленка 4 толщиной 1О-20 мкм с удельным объемным электрическим сопротивлением 10 -10 ОмМ. Полупроводниковая пластинка 5 помещается на эту пленку.

Описанная конструкция представляет собо конденсаторную систему, которая заряжается от источника высокого напряжения, собранного на базе схемы умножения. Рабочее напряжение составляет 15ОО-18ОО в, а потребляемые токи - несколько десятков микроампер. Полимерная пленка служит для накопления зарядов и для того, чтобы закрепление объектов было надежным в течение всего времени вращения столика центрифуги. При использовании фторопластовой пленки последняя вместе с объектом может быть перенесена в термостат для сушки фоторезиста без использования метвллического пинцета или вакуумного присоса. В качестве материала для полупроводящвго диска может быть использована обычная СВЧ-ферритовая керамика. Нанесение фот(:ч5взнста;Ъсуществляется следующим образом. Перед началом работы отисточннка напряженна заряжают конденсаторную систему, при этом один на электроаов стационарно соединен с корпусом иентрнфуги, другим, подвюкным, кратковременно касаЦ к)тся1Х рпаполупроводннковоЙпластнны. Засчет кудЬновскнхснл электростатического поля объекты вместе с полимерной пленкон закрепляются на полупроводниковом днске.3«тем из пипетки наносят фоторезист на объект, после чего конденсаторную систему прив дят во вращение от электродвигателя центрифуги. Через определенное время врашение прекрашаэтся, и пленка вместе с пластиной легко снимается со столика центрифуги за счет вертикального отрыва. Формула изобретения Центрифуга для нанесения покрытий, например фоторезиста, на полупроводниковые пластины, содержащая столик с металлическим основанием, жестко связанный с валом электродвигателя, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности закрепления пластин, на металлическое основание, соединенное-с ;источником высокого напряжения, установлен полупроводниковый дисКу покрытый полимерной пленкой.

Источник напрягкения

jfeKm/io9( иеатмь

SU 517 086 A1

Авторы

Пасынков Владимир Васильевич

Скрижалин Леонид Всеволодович

Таиров Владимир Николаевич

Тонкий Леонид Васильевич

Даты

1976-06-05Публикация

1974-09-11Подача