Устройство формирования прямоугольных импульсов Советский патент 1976 года по МПК H03K6/04 H03K6/06 

зистора 3) через второй дополнительный ди од 6 к диоду 1 ограничителя друТого канала формирования, и блок совпадения на тран зисторах 7 и 8, базы которых соответствен но подключены к коллекторам транзисторов 3 и 4 предварительного усилителя. Каждый канал формирования устройства содержит та же диод 9, резисторы 10-13, конденсатор 14, трансформатор 15 с выводами 16-19 Выходы блоков совпадения обоих каналов объединены и подключены к выходной клемме 2О устройства. Устройство работает следующим образом В исходном состоянии, без подачи вход- нрго сигнала (в статическом режиме) при подаче напряжения от обоих источников питания на выходе устройства низкий потен- пиал, так как транзисторы 3 и 4 в обоих каналах формирования закрыты, а транзисторы 7 и 8 открыты. Величина выходного потенциала определя ется остаточным напряжением насыщенных транзисторов 7 и 8 в обоих каналах формирования и падением напряжения на диодах 9 Выходной потенциал при обрыве одной из щин питающих напряжений или при отказе одного элемента любого канала не изменяется. Высокий потенциал на выходе устройства появляется только при поступлении на вход устройства положительных импульсов (положительной волны), при отрицательной полуволне потенциал на выходе будет опять низкий. На первичную обмотку трансформатора 15 с коэффициентом трансформации равным 0,10 подается напряжение 40 В, 50О Гц. С вторичных обмоток трансформатора напряжение поступает на ограничитель обоих каналов, содержащий резистор 10 и резервированные диоды 1 и 2. Ограниченные на уровне, равном падению напряжения на открытом диоде при отрицательной полуволне синусоидального напряжения на выводе 16 (18) трансформатора, импульсы положительной полярности (положительная полуволна синусоидального напряжения) поступают через диоды 5 и 6 обоих каналов и ограничивающие токи баз транзисторов 3 и 4 этих каналов, резисторы 11 12 на базы резервированных транзисторов 3 и 4 обоих каналов. Режим транзисторов 3 и 4 выбран исходя из условия, обеспечивающего получение больщого коэффициента усиления и соответственно малой длительности переднего фронта формируемых импуль сов напряжения. Коллекторы транзисторов 3 и 4 в обоих каналах непосредственно связаны с базами соответствующих транзисторов 7 и 8 включенными последовательно, для исключения перекосов, получающихся вследствие технологического разброса параметров обмоток трансформатора, а также разброса параметров транзисторов 3, 4 и диодов 5, 6, вы- полняющих логическую функцию совпадений с инверсией. Прямоугольные импульсы напряжения с объединенных коллекторов транзисторов 7 обоих каналов поступают на въхходную клемму 20 устройства. С помои1ью конденсаторов 14 обеспечивается помехозащищенность схемы при возникновении паразитных наводок. С помощью резисторов 13 и диодов 9 задается смещение (+5 В) в цепи эмиттера транзисторов 8, что обеспечивает надежное его запирание при работе устройства в условиях повыщенной температуры, исключая самооткрывание транзисторов 8 за счет обратного тока коллектора. Формула изобретения Устройство формирования прямоугольных импульсов, содержащее входной трансформатор, к вторичным обмоткам которого подключены два канала формирования, включающие в себя ограничитель на диоде и запирающий диод, отличающееся тем, что, с целью повыщения надежности работы, в каждый канал формирования введены первый дополнительный диод, подключенный параллельно диоду ограничителя, второй дополнительный диод, блок совпадения, вьшолненный, например, на двух последовательно включенных транзисторах, и предварительный усилитель на транзисторах, база одного из которых через упомянутый запирающий диод подключена к диоду ограничителя своего канала формирования, а база второго через второй дополнительный диод к диоду ограничителя второго канала формирования, при этом коллекторы транзисторов предварительного усилителя подсоединены соответственно к базам транзисторов блока совпадения своего канала формирования, а выходы блоков совпадения обоих каналов объединены. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе изобретения: 1.Авт. св. СССР № 318157, кл. Н 03 К 5/ОО, 1971 г, 2.Авт. св. СССР № 313291, кл. Н 03 К 5/00, 1971 г. (прототип).

Ч