Показать метаданные Скрыть метаданные

(19)

(11)

527 988

(13)

(51)

МПК

H01L21/265(2000-01-01)

(21) (22)

Заявка

2083946, 1974-12-17

(22)

дата подачи заявки

1974-12-17

(45)

опубликовано

1986-09-30

(72)

авторы

Герасименко Н.Н.Двуреченский А.В.Потапова Л.П.Смирнов Л.С.

(56)

Документы, цитированные в отчете о поиске

Карацюба А.П., Туркин В,В., Юдин*Ф.В., Электронная техника

Способ изготовления омических контактов Советский патент 1986 года по МПК H01L21/265

Описание патента на изобретение SU527988A1

Похожие патенты SU527988A1

название	год	авторы	номер документа
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ УСТРОЙСТВАХ НА АМОРФНЫХ НЕЛЕГИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ	2009	Авачев Алексей Петрович Вихров Сергей Павлович Вишняков Николай Владимирович Митрофанов Кирилл Валентинович Мишустин Владислав Геннадьевич Попов Александр Афанасьевич	RU2392688C1
Способ изготовления полупроводниковых структур	1974	Михаель Хаубольд Герфрид Хайзе Хартвин Оберник Рихард Шимко	SU563704A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУР С ЗАХОРОНЕННЫМ МЕТАЛЛИЧЕСКИМ СЛОЕМ	1992	Двуреченский А.В. Александров Л.Н. Баландин В.Ю.	RU2045795C1
Способ получения тонких магнитных пленок в полупроводниках	1982	Петухов В.Ю. Хайбуллин И.Б. Зарипов М.М.	SU1114246A1
Способ создания р-п-переходов в сложных полупроводниках	1975	Гаврилов А.А. Качурин Г.А. Придачин Н.Б. Смирнов Л.С.	SU550061A1
Способ синтеза тройных полупроводниковых соединений	1975	Качурин Г.А. Придачин Н.Б. Романов С.И. Смирнов Л.С.	SU516317A1
Способ изготовления матричного накопителя для программируемого постоянного запоминающего устройства	1977	Кудрина Антонина Владимировна Некрасов Дмитрий Михайлович Полищук Юрий Яковлевич	SU765877A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ	2006	Попов Владимир Павлович Тысченко Ида Евгеньевна	RU2301476C1
СПОСОБ ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ	1991	Рыков В.В. Кабешов А.В. Рыкова Т.С. Акашкин А.С.	RU2008742C1
ВАРИКАП	1994	Иоффе Валерий Моисеевич	RU2086045C1

Реферат патента 1986 года Способ изготовления омических контактов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ, включающий легирование полупроводника при внедрении ионов легирующей примеси до больших доз (более 4-10*'* см'*) и при повьппенных плотностях тока (более 4 мкА/см'^ ), отличающийся тем, что, с целью снижения сопротивления контактов, перед внедрением на полупроводник наносят пленку металла, дающего тот же тип проводимости в полупроводнике, что и внедряемая примесь» причем толщина пленки равна или меньше длины пробега ионов.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1986 года SU527988A1

Карацюба А.П., Туркин В,В., Юдин*Ф.В., Электронная техника
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов	1917	Гордон И.Д.	SU2A1

SU 527 988 A1

Авторы

Герасименко Н.Н.

Двуреченский А.В.

Потапова Л.П.

Смирнов Л.С.

Даты

1986-09-30—Публикация

1974-12-17—Подача