Способ изготовления матричного накопителя для программируемого постоянного запоминающего устройства Советский патент 1980 года по МПК G11C17/00 

нанесения металлических ашн и уменьшает число операций фотолитографии, проводимых при изготовлении накопителя. На чертеже отображена последовательность выполнения основных технологических операций способа изготовления матричного накопителя для программируемого постоянного запоминающ го устройства. Проводится формирование электриче ки изолированных друг от друга полу проводниковых монокристаллических шин 1, затем формируется окисел 2, создаются контактные высоколегирован ные области 3, наносятся металлические шины 4 и контакты 5, селективно травятся металлические шины и окисны слой до получения рабочих зазоров 6 бистабильных переключателей, проводи ся ионная имплатация до образования диодов 7 и наносится аморфный полупр водник ,8 в рабочие зазоры 6. Способ изготовления матричного на копителя для программируемого ПЗУ. В исходной пластине кремния марки КЭФ-0,3, при помощи известного и широко применяемого в промышленйости .метода, по заданной топологии формируются монокристаллические шины 1 п-кремния с окисной изоляцией. Затем кремний окисляется способом термичес кого окисления до образования пленки окисла 2 толщиной 1 мкм. Режим , окисления: , i .+140 + lOojCy- После этого проводится формирование высоколегированных контактных областей 3 при помощи процессов фотолитографии и диффузии фос фора. Фотолитография;фоторезист РН-7, метод нанесения фоторезиста центрифугирование (1500 об/мин, 30 с сушка фоторезиста - при комнатной температуре 20 мин, при 20 мин, экспонирование - лампа ПРК-4 время - 1 мин, дубление - при комнатной температуре 30 мин, при - 20 мин, проявление - в 0,5% растворе КОН. Диффузия фосфора: загонка - Т 1050°С в течение 7 мин, разгонка - , iobzcy)i+ ел + + 10о25)х . При этом получено 4,5 Ом/п. Дальше проводится тер мическое напыление в вакууме слоя N i толщиной порядка 4000 А. Контактные площадки 5 к высоколегированным контактнь5м областям п - типа металлические токоведущие шины 4 формируются путем травления Ni в 50% растворе НМОд. Затем проводится формирование рабочих зазоров 6 бистабильных переключателей: фотолитография (причем, для повыаения кислотостойкости фоторезиста дубление проводится не в два а в три этапа - при комнатной температуре - 30 мин, при 20 мин и при Т 180°С - 10 мин) и сеективное травление Mi и . N травится в 50% растворе азотной кислоты, а SiO в буферном травителе НМдР - 2,5 г, HF - 7,5 мл, Hj,0 - 150мл. После формирования рабочих зазоров производится формирование диодов 7 методом ионной имплантации в следующем режиме: внедрение - Е 100... 150 кВ, ...10 мкК/см, р-5.10 ...1.20 мм рт.ст, температура подложки комнатная., отжиг - среда - азот, ..900°С, время отжига - 20 мин. Пленка аморфного полупроводника 8 наносится термическим распылением в вакууме (р 2. рт.ст.) из алундового тигля с молибденовым нагревателем. При этом температура испарителя - 470с, температура подложки - 70 С/ расстояние между испарителем и подложкой - 19 см, время напьшения - 45 мин. После нанесения аморфного полупроводника проводится фотолитография, причем, дубление фоторезиста проводится при комнатной температуре 20 мин и при Т 110°С - 30 мин. Затем производится растравливание аморфного полупроводника 8 на рабочие области травителем 4 г, H2;S04 - 17 мл/ НО- 100 мл. Преимущество предлагаемого способа изготовления матричного накопителя для программируемого постоянного запоминающего устройства заключается в том, что аморфный полупроводник наносится в последннж) очередь и число операций фотолитографии сокращено, что увеличивает надежность и процент выхода годных изделий. Формула изобретения Способ изготовления матричного накопителя для программируемого постоянного запоминающего устройства, состоящий в формировании изолированных полупроводниковых шин, нанесении слоя окисла, формировании контактных высоколегированных областей, нанесении метсшлических шин и контактов и на- несении аморфного полупроводника,о тличающийся тем, что, с целью упрощения способа и повышения надежности, посла нанесения металлических шин и контактов селективно травят металлические шины и слой окисла до получения рабочих зазоров, проводят ионную имплантацию и наносят , аморфный полупроводник в рабочие зазоры. Источники информации , принятые во внимание при экспертизе 1. Электроника, 1970, P 20, с.40. 2.Авторское свидетельство СССР ( 504246, кл.а 11 С 11/34, 1974. 3.Патент США № 3699543, кл. 340173, опублик. 1972 (прототип).

.s .3 г.

о)

5}