Способ измерения распределения потенциала по толщине полупроводникового слоя Советский патент 1976 года по МПК H01L21/66 G01R31/26 

1

Изобретение относится к методике физических исследований попупроводников и приборов на их основе.

Известно,что для измерения распреде- ления потенциала по топшине тонкоппеноч- ных o6p 3iioBj каприл.ер полупроводниковых систем с p-rt-переход ом и с токовыми электродами на противоположных поверхностях, на этих образцах изготавливают поперечный срез-шлиф; а установка дпя таких из- мерений содержит передвижной клиновидный или конусообразный эяектроприводный зонд с небольшим углом заточки, обеспечивающим врезание зонда в срез-шлиф исследуемого образца,

Однако расстояния, на которых измеряется падение напряжения, ограничиваются конструкцией и размерами передвижного зонда и практически не могут быть меньше чем 3-5 мкм.

Цель изобретения - увеличить разрешаюшую способность измерения по толщине и обеспечить возможность многократных измерений в ордих и тех же местах.

Это достигается тем, что в спой полупроводника при нанесении этого слоя на подложку вводят тонкопяеночные электроприводные зонды, причем концы зондов располагают на границе подэлектродной области в Т1ПОСКОСТЯХ,параллельных плоскостям токовых электродов.

На чертеже показан образец для осуществления предлагаемого способа.

На твердотельную подложку 1 и токовый электрод 2 наносят многослойную структуру в следующей последовательности: слой полупроводника 3, тонкопленочный электропроводный зонд 4 и т.д. Последним наносится токовый электрод.

При измерениях к токовым электродам образца подключают напряжение определенной величины. При помощи прибора с большим входным сопротивлением или компенсационной схемы определяют падение напряжения между одним из токовых электродов и отдельными электропроводными зондами или между соседними зондаьш.

Микрорасстояния, на которых проводятся измерения падения напряжения, опредепяют по геометрическим размерам и расположению зондов.

Формула изобретения

Способ измерения распределения потенциала по толшине полупроводникового слоя путем подведения измерительных зондов к к исследуемой области, отличаю- ш

щ и и с я тем, что, с целью увеличения разрешающей способности измерения по толщине и обеспечения возможности многократных измерений в одних и тех же местах, в слой полупроводника при нанесении этого слоя на подложку вводят тонкопленочные электропроводные зонды, причем концы зондов располагают на границе подэлектродной области в плоскостях, параллельных плоскостям токовых электродов.