Способ эпитаксиального наращивания монокристаллических слоев на неорентирующей подложке Советский патент 1977 года по МПК H01L21/20 

Изибратенйе отй0ейтс0 к обййстй о-д-эк рокнкн а шжроаяеЕтрзагЕИг,;

йзвесаны cHSG&Sbs 851итак.сЕальйэг-0 нар иван1Ш йОйртрозэднЕКйВ;; ыетв,Ш1Ов дйзяой xpHKOB на могшжрзжтаяпЕчэсйие msarjssstis

Недостаткэм навестных cns3c06csB ЙЕШ 8ТСЯ спожиосгь соэдаяая янэлек-грйчеекой изоляции КОМПОК8ЕТОВ 1штвгр ш1ьныж сжзг.% которые создают в эппгексиапьЕыз слоях

Известен способ апатажсшшь едго 0 щивания монокрйсталл гчесЕял на нэ ориентирующей полложквз нрн катером, sjoe. дают: условия для кристаллизации раснла®., енного слоя материала от одноге s0H0 кристаллического зародыша,--tS:

Недостатками известного способа яшгз ются необходимость жесткого контрола те1«« лового поля и скорости кристаллЕзациНэ а также использование прецизионного обору™ §Й дованйя Размеры и толщина наращиваемых слоев ограничены, елок неоднородггь п& тсй шине, их необходимо подвергать допш1на«тельной механической и химической обработке,25

Цедью иаобретевиа нБлается получвнне однородный по тепЕшве моаокристарличеоК5ЕХ СЛОеВа

Поставленная цель достигается путем . эпитакснального каранашания ив наориви тнруЕОщай слой, полученный осаждением на монакриста ПЕГческую подложку, на которой предварительно сформирован, рельефный маKpoyaopi например, фотопвтографией, орввЕК тировапшай определенным образом, Еапра мер вдоль направления ИО.,

Согласно предложенному способу, моно крпсталлическу о пластику кремния орневтахдак Ш тсотшшной 300 мкм полиру ют до 13 класса частоты поверхности, затем химически снимают нарушенный СЛОЕ в ОЕйсляют пластину в атмосфере кислорода яри &6) в течение 30 мин. Затем наносят Еа спой сжйсла фоторезист и произво дат эксноннрован51е узора, ориентированного вдшь направления О.10 нластины -.Пооле проявления и задублнваиия фоторезиста производят селективное травление кремнвя в травителе состава НРгННО гСН.СООН 1|10:1 на глубину 3 мкм. Затем проа водят вакуумное налыленвв слоя окиси влв мнния толщиной ЮООА, Затем проводят эпитаксиальное варашивание кремния воостановлением тетрахлорида кремния в водороде - 5%. Предложенный способ позволяет создавать системы ориентировавных кристалле тов материала размером около 10 мкм ва неориентируюшей подпожке,- Плотность дет фектов упаковки составляет см , плотность дислокаций менее 10 см . Подвижность носителей при 300°К составляет: адектронов 1400 , .дырок ЗООсм/с Указанные слои на неориеитируюших подлож ках обладают рядом достоинств в технол1 гии интёхральных схем,, а именно: 1, .Повышается тюткость размещения апементов. 2. Применение в качестве подложки материала с хорошей теплопроводностью позволяет улучшить теплоотвод и повысить на дежность ИС., 3. Сочетание раздельного травления с соответствуюишм размещением аиемевтов узора позволяет увеличить число возможных схемных комбинакЕй и улучшить изоляцию элементов ИС. Формула азобретеавя Способ эпитаксиальвого наращивания мовокристаллическвх слоев ва неориентируюшей подложке отличающийся тем, что, с целью получения однородных по толщине монокристаллических слоев, эпитаксиальнзе наращивание производят на неориентируюшиЙслой, полученный осажд&нием на монокристаллическую подложку, на которой предварительно сформирован рельефный микроузор, например фотолитографией ориентированный определенным образом, например вдоль направления . Источники информации, принятые во ввямание при экспертизе: 1,,Физика тонких пленок. Т, 5« Под . ред.: JTuXacca и Р Тука.-М,, Мир 1972,