Микросхема Советский патент 1978 года по МПК H01L23/54 H05K1/16 

Описание патента на изобретение SU546240A1

(54) МИКРОСХЕМА

Похожие патенты SU546240A1

название год авторы номер документа
Микросхема 1972
  • Смолко Г.Г.
  • Чиковани Н.М.
SU470249A1
Многослойная коммутационная плата СВЧ-гибридной интегральной микросхемы космического назначения и способ её получения (варианты) 2019
  • Поймалин Владислав Эдуардович
  • Жуков Андрей Александрович
  • Калашников Антон Юрьевич
RU2715412C1
СПОСОБ 2D-МОНТАЖА (ВНУТРЕННЕГО МОНТАЖА) ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ 2015
  • Мухин Иван Ефимович
  • Надеина Ирина Сергеевна
RU2604209C1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МЕТАЛЛИЗАЦИИ 1989
  • Перинский В.В.
  • Козейкин Б.В.
  • Школьников Л.Э.
SU1671071A1
ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА ГАЛЬВАНИЧЕСКОЙ РАЗВЯЗКИ НА СТРУКТУРАХ КРЕМНИЙ НА САПФИРЕ 2018
  • Гуминов Владимир Николаевич
  • Машевич Павел Романович
  • Федотов Максим Александрович
RU2686450C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ УЗЛОВ 2014
  • Штурмин Александр Александрович
RU2575641C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНТАКТНОЙ ПЛОЩАДКИ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ МИКРОСХЕМЫ 2002
  • Лугин А.Н.
  • Власов Г.С.
  • Лугина В.В.
RU2231237C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СИСТЕМЫ МЕТАЛЛИЗАЦИИ КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ 2006
  • Сенько Сергей Федорович
  • Белоус Анатолий Иванович
  • Плебанович Владимир Иванович
RU2333568C1
УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ 2009
  • Мориваки Хироюки
RU2464647C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ 1981
  • Ишков Г.И.
  • Кокин В.Н.
  • Лукасевич М.И.
  • Манжа Н.М.
  • Сулимин А.Д.
SU952051A1

Иллюстрации к изобретению SU 546 240 A1

Реферат патента 1978 года Микросхема

Формула изобретения SU 546 240 A1

Изобретение относится к производству тонкопленочных микросхем.

Известна микросхема по авт.св. N 470249, содержащая металлическую подложку, активные элементы, резисторы и конденсаторы, причем все элементы сформированы непосредственно на анодной окисной пленке, а в качестве одной из обкладок конденсаторов использована металлическая подложка 1.

Од11ако известная микросхема недостаточно надежна и долговечна.

Цель изобретения - повышение надежности и долговечности - достигается тем, что в предлагаемой микросхеме реэнсторы, конденсаторы и разводка выполнены на основе того же вентильного металла, что и подложка.

На чертеже изображена предлагаемая микросхема.

Алюминиевый лист 1 полируют и по меньшей мере на одной из его поверхностей формируют любым известным способом окисную нленку 2 толидаиой не менее 12 мкм с заданной текстурой.

На сформированной окИсной пленке исполняются в одну операцию алюминиевые токоведущие дорожки 3, контактные площадки 4 и верхние обкладки конденсаторов 5. После этого формируют резисторы 6 из оксшштрида алюминия, который по механическим и термическим коэффициентам близок к чистому алюминию.

Последняя операция включает монтаж активных элементов 7. При этом роль нижних электродов конденсаторов играет металлическая часть самой подложки, что дает возможность использовать микросхемы описанного типа в качестве схем, содержащих элементы с распределенными параметрами.

Для уменьшения емкостной связи между металлической подложкой и токоведуишми дорожками и контактными площадками окисную пленку можно формировать так, чтобы в местах контактных площадок и токоведущих дорожек окисная пленка была толще.

Формула изобретения

Микросхема по авт. св. № 470249, отличающаяся тем, что, с целью повышения

ее надежности н долговечности, резисторы, конденсаторы и разводка выполнены на основе того же вентильного металла, что и подложка. /-v/

2.

Источники информации, принятые во внимание пря экспертизе:

1. Авторское свидетельство СССР N 470249, Н 05 К 3/00, 1975. :

SU 546 240 A1

Авторы

Смолко Г.Г.

Васильев Г.Ф.

Чиковани Н.М.

Даты

1978-09-25Публикация

1975-03-25Подача