Устройство для отбраковки излучающих полупроводниковых структур Советский патент 1977 года по МПК H01L21/66 

Изобретение относится к технике измерения светового ;излучения:и может быть использовано рля экспрессного контроля однородности квантового выхода излучения полупроводниковых структур, предназначенных для изготовления светодиодов или других оптоэлектронных приборов. В производстве светодиодов отбраковка готовых приборов производится с помощыю измерителей яркости, в качестве которых используются фотометры . Недостатком такого контроля является необходимость изготрвления большого числ приборов для оценки их параметров. Известно устройство для отбраковки излучакяяих полупроводниковых структур, содержащее источник питания структуры и ка либрованный фотоприемник, включенный в ; измерительную схему 2 Для измерения квантового выхода излучения структур с помощью такого устройства необходимо из контролируемой структуры изготовить излучательный элемент заданной площади. При этом разруша ся часть контролируемой структуры и затрачиваются дополнительные средства на изготовление контрол№ого элемента. Кроме того, устройство не может быть использовано для контроля однородности излучения по площади структуры. Целые изобретения является упрощение процесса измерения. Поставленная цель достигается тем, что устройство содержит подвижный капиллярный микрозонд, заполненный электролитам, по . центральной оси которого расположен световод с фотоприемником. Микрозонд может легко перемещаться по структуре, а фотоприемник при этом фиксирует вег-ичину квантового выхода излучения в соответствующей точке. На чертеже приведена структурная схема предложенного устройства. Устройство содержит измерительную пластину 1, на которой установлен капиллярный микрозонд 2, заполненный прозрачным электролитом, который является омическим контактом 3. По центральной оси микрозонда расположен световод 4 с фотоприемником 5. Пластина размещена на подвижном держа-

тел 6 образца. Микрозон-д и держатель образца электрически связаны с источником 7 питания, электрическая схема 8 для измфенвя фотоотклика электрически связана с фотоприемником 5. Устройство работает следующим образом. Через жидкий омический микрозондовый контакт 3 и подвижный держатель 6 к структуре прикладывается напряжение и за счет тока, проходящего через световод 4 либо через прозрачный электролит, излучение пошдает на калиброванный фотоприемник и регистрируется электрической схемой 8,

Квантовый выход рекомбинационного излучения рассчитывается по формуле

W. /

; гдеУУ. соответственно мощности, подводимая к структуре и излучаемая (измеряется фотоприемником);

оС - коэффициент, учитывающий гео метрию зонда и характер растекания тока, Коэффициент об может быть определен экспериментально для данного зониа.

Использование апиллярного з(ЖРа с фотоприемником позволяет проводить измерения по площади ст|руктуры без ее разрушеЕВя, уменьшает затраты на изготовление контрольных светодиодов, увеличивает полезную плошавь используемой структуры.

Формула изобретения

Устройство для- отбраковки излучакяних полупроводниковых структур, содержащее источник питания структуры и калиброванный фотоприемник, включенный в измерительную схему, отличающееся тем, что, с целью упрощения процесса измерения, оно содержит подвижный капиллярный микрозонд, заполненный электролитом, по центральной оси которого расположен световод с фотоприемником.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе;

1,Грин Г, И. Измерение параметров и испытание полупроводниковых приборов, Высшая школа, М., 1974, с. 182-186.

2.CfdtZT W.WOEEE Trava ЕД-12, 531, 1965.

J2