Способ изготовления электролюминесцентного экрана Советский патент 1979 года по МПК H01L21/20 

(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНОГО ЭКРАНА 3 внутренних напряжений и хорошо вьиер живает механическую обработку (резку,шлифовку и полировку). Сплав Ge-As осуществляет удовлетворительный омический контакт к силь но легированному Ga-As. Поэтому после резки полученного образца на плас тины однотипные области р-п-переходов оказываются соединенными между собой при помощи сплава Ge-As, который может служить для подвода электр питания. Подводить контактные шипы нужно только к инкрустированным в образец монокристаллическим областям Ga-As. В связи с тем, что коэффициен преломления сплава Ge-As значительно выше, чем Ga-As, выход рекомбинационного излучения через п-област инкрустированного Ga-As происходит с высокой квантовой эффективностью. В качестве подложек для выраиивания используют монокристаллы Ga-As n-типа ( И см ) , нарезанные в виде тонких стержней с размерами 0,5x0,5x50 NM, боковые плоскости которых ориентированы в направлении 100. Стержни собирают в пакет с заэЬром 0,8 мм, который определяется графитовыми (или арсенид галлиевыми) прокладками. Полученный пакет при Т 920°С заполняют раствором - расплавом галлия насыщенного мышьяком и 0,4 вес. кремния,после чего проводят принудительное охлаждение его со скоростью 1,5/мин. При этом наращивается .слой п-типа, а затем при тгЙВО С слой р-типа. При раствор - расплав галл удаляют центрифугированием. При 720 пакет заполняют раствором - расплаво содержащим 70 вес.% Ge и 30 вес.% Аз, и медленно охлаждают. Полученный монолит разрезают (перпендикулярно оси стержней) на пластинки толщиной 0,5 мм, механичес ки шлифуют и полируют. На инкрустированные кубики с одн из сторон пластины наносят сплав 95% Jn + 5% Zn и производят его вжигание в атмосфере водорода при 400с. Другая сторона пластины травится в травителе - до образования в GaAs лунок глубиной до 100 мкм, после чего их заполняют антистоксовским люминофором ИКВ-1, растворенным в эпоксидной смоле. На фиг.1 приведена схема изготов ленного экрана на фиг.2 - разрез А-А фиг.1. 72 Приняты следующие обозначения: 1 - инкрустированные монокристаллы П GaAs, 2 - выращенный эпитаксиальный слой п GaAs, легированный ), 3 - зпитаккремниемсиальный р GaAs, легированный кремнием ( ) , 4 - сплав 70% Ge + 30% As, 5 - пленочные кон6 - люминофор ИКВ-1 (Na такты, t4b-Er) , растворенный в эпоксидной смоле. Полученный экран устанавливают на монтажную плату с укрепленными на ней проводниками, которые припаивают к ранее нанесенным и вожженным в кристалл Jn - Zn-контактам. На одной пластине образовали более 200 светодиодов. Из одной заготовки можно получить 20-30 пластин толщиной 0,6-0,8 мм. Предлагаемый способ позволяет получать также экраны красного излучения на основе GaP. Способ позволяет собирать экраны большой площади, которые могут быть использованы для получения телевизионного изображения, отображения информации в счетно-решающих устройствах. Этот способ может быть также применен при изготовлении преобразователей изображения на основе многослойныхр-п илир-i-n структур и других оптоэлектронных приборов. Формула изобретения Способ изготовления электролюминесцентного экрана, включающий эпитаксиальное выращивание р-П-переходов, создание омических контактов и металлизированных областей для их коммутации, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии, выращивание р- т-переходов ведут на подложках в виде стержней монокристаллов полупроводника, собранных в пакет и расположенных друг от друга на расстоянии 0,5-2 мм, затем пакет заполняют раствором расплавом металлов, образующих омический контакт со структурами, и после остывания полученный монолит разрезают на пластины перпендикулярно оси стержней. Источники информации, принятые внимание при экспертизе 1. Патент Японии 47-36949, 99(5) J 42, 1972. 2„ Патент США 3636617, кл.29-576, 1972.

vt.2