Устройство для измерения квантовой эффективности излучения электролюминесцентных структур Советский патент 1981 года по МПК H01L21/66 

(54) УСТРОЙСТЮ ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ .КВАНТОВОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ИЗЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ СТРУКТУР

1

Изобретение относится к устройствам для измерения электролюминесцентного излучения, в частности квантовой эффективности электро.11юминесцентного излучения эпитаксиальных р-п структур.

Известно устройство для измерения квантовой эффективности излучения электролюминесцентных структур, содержащее источник питания структуры и калиброванный фотоприемник, включенньай в измерительную схему ij.

Для измерения квантового выхода излучения электролюминесцентных структур с помощью такого устройства необходимо из измеряемой структуры изготовить излучательный элемент заданной площади. При этом разрушается часть контролируемой струк уры и затрачиваются дополнительные средства на изготовление контрольного элемента. Кроме того, устройстве не может быть использовано для контроля однородности излучения по площади структуры.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является устройство, содержащее фотоприемник, который подключен к блоку измерений, капиллярный микрозонд и предметный

столик с омическим контактом, который подключен к блоку питания 2} .

Недостатком такого устройства является то, что фотоприемник собирает очень малую часть света излучаемого электролюминесцентной структурой, поэтому чувствительность устройства низка и снижается при уменьшении поперечного сечения жидкостно10го контакта, что усложняет процесс измерений.

Цель изобретения - упрощение процесса измерения.

Указанная цель достигается тем,

15 что в устройстве для измерения квантовой эффективности излучения электролюминесцентных структур, содержащем фотоприемник, который подключен к блоку измерений, капиллярный микро

20 зонд и предметный столик с омическим контактом, который подключен к блоку питания, омический контакт предметного столика выполнен в виде кольцевого электрода и размещен в пазу

25 предметного столика, а в фотоприемнике выполнено сквозное отверстие, в котором установлен капиллярный микрозонд.

Кроме того, кольцевой электрод выполнен из индия,покрытого слоем галлия. На фиг. 1 и 2 представлены примеры выполнения устройства.. Устройство содержит предметный столик 1, в котором выполнен паз для размещения кольцевого электрода 2 и закреплено ограничительное кольцо 3 для фиксации исследуемой структуры 4.Фотоприемник 5, снабженный контактами б, имеет отверстие, в котором расположен микрозонд 7 с жидкометаллическим электродом 8. Микрозонд кре пится в отверстии эпоксидной смолой 9. Мембрана 10 и нагрузочный шток 11 служат для вьщавливания ртути при контакте микрозонда. Через разъем 12 и контакт 13 устройство подключается к блоку 14 питания и измерителю 15 тока, а фотоприемник. 5 с помощью контактов 6 - к блоку 16 измерений. Для увеличения чувствительности устройства поверхность предметного сто,лика 1, ограниченная кольцевым элект родом 2, покрыта отражающим слоем 17 Варианты выполнения устройства отличаются конструкцией капилляра 18 корпуса микрозонда 19 и наличием защитного кольца 20, которое служит для защиты исследуемой структуры и исключения растекания жидкости из капилляра. Устройство работает следующим образом. Через жидкий электрод микрозонда 7 и кольцевой электрод 2 к структуре прикладывается напряжение. Излучение исследуемой структуры 4, возникающее при протекании через нее электрического тока, принимается фотоприемником 5 ,и регистрируется блоком 16 измерений. Формула изобретения 1.Устройство для измерения квантовой эффективности излуления электролюминесцентных структур, содержащее фотоприемник, который подключен к блоку измерений, капиллярный микрозонд и предметный столик с оми еским контактом, который подключен к блоку питания, отличающеес я тем, что, с целью упрощения процесса измерения, омический контакт предметного столика выполнен в виде кольцевого электрода и размещен в пазу предметного столика, а в фотоприемнике выполнено сквозное отверстие, в котором установлен капиллярный микрозонд. 2.Устройство по п. 1, отличающееся тем, что кольцевой электрод выполнен из индия, покрытого слоем галлия. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Gazz W.N. Characteristics of а Gat- S. Percenet Efficieneg JEEE, Fraus, EO-12, 531, 1965. 2.Авторское свидетельство СССР i 557701, кл. Н 01 L 21/66, 1976.