1
Изобретение относится к составам, используемым при холодной обработке твердых и сверхтвердых материалов, в частности полупроводниковых кристаллов (пластин), диэлектрических подложек и стеклянных заготовок в процессе производства изделий электронной техники.
Известны полирующие композиции для химико-механической полировки на основе кристаллического порошка - аэросила, окислителя и водной среды.
При использовании известных полирующих композиций при удельных давлениях на пластины больше 100 г/см и скорости вращения полировальника выше 100 об/мин происходит сильный разогрев пластин и срыв. Это ограничивает скорость полирования и повьпиает процент брака. Процесс полирования нестабильный, например, обработка на нетканых полировальниках сопровождается появлением царапин на поверхности пластин.
Цель изобретения - разработка состава для полирования полупроводниковых и диэлектрических материалов (пластин, кристаллов, деталей), который повьшшет эффективность процесса полирования с сохранением качества поверхности, получаемой полированием известными полирующими композициями.
Предложенный полирующий состав, не включающий токсичных веществ, улучшает процесс полирования, повьпиает производительность труда и уменьшает процент брака. Полирующий состав включает в качестве основного полирующего вещества алюмосиликаты, на11ример цеолит, и вещество для катионного обмена. Полирующий состав готовят на основе водного раствора. Для полирования кремниевых пластин используется полирующий состав, включающий компоненты (в вес.%): Цеолит NaA5-80
Азотнокислая медь0,1-5
Перекись водорода (30%-ная)0,01-1
ВодаОстальное
В присутствии азотнокислой меди повышается скорость полирования за счет способности кремния вьтгеснять медь из растворов ее солей и улучшается качество обработки, так как активными участками поверхности являются вершины мнкронеровностей. Цеолит вьшолняет функции сорбента ионов медл и инструмента для механического удаления с поверхности проду1стов полировки и примесей.
Для полирования пластин германия, арсенида галлия, арсенида индия и стеклянных заготовок используется полирующий состав, состоящий из компонентов, взятьи в следующих соотнсЛиениях {вес.%):
Цеолит NaA5-85
Углекислый аммоний0,1-4
Перекись водорода
(30%-нал)0,5-3
ВодаОстальное
Введение в полирующий состав окислителя-перекиси водорода способствует образованию на поверхности окислов обрабатьшаемых материалов, введение в полирующий состав углекислого аммония, повьщ ает щелочную реакцию, которая способствует растворению окислов. При полировке предложенными полирующими составами пластины кремния, арсенида индия, германия, арсенида галлия и стеклянных заготовок была получена поверхность 13 класса.
В процессе полирования предложенными составами на основе цеолита, обладающего хорощей сорбционной способностью к органическим и неорганическим веществам, образующиеся продукты полирования и примеси сорбируются на цеолите и легко удаляются с поверхности во время отмывки.
Полирующие составы- могут применяться для полупроводниковых и диэлектрических. материалов, имеющих различный класс предварительной. обработки, любой кристаллографической ориентации, геометрической формы и любой степени легирсшания.
Формула изобретения;
Полирукнций состав для обработки, например, полупроводниковых материалов, содержащий кристаллический порошок, окислитель,например перекис1 водорода и воду, отличающийся тем, что, с целью повьпиения эффективности процесса полирования, он дополнительно содержит вещество для катионного обмена, например азотнокислую медь или углекислый аммоний, а в качестве кристаллического пороцжа взяты алюмосиликаты, например, цеолиты при следующем соотнощении компонентов в вес.%:
Цеолит5-85
Азотнокислая медь или
углекислый аммоний0,1-5
Перекись водорода (30%)0,01-3
ВодаОвальное
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ ПЛАСТИН АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ | 2014 |
|
RU2545295C1 |
СПОСОБ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ ПЛАСТИН АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ | 1990 |
|
RU1715133C |
Завод полупроводниковых приборов | 1970 |
|
SU334852A1 |
СПОСОБ ПОЛИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ | 2004 |
|
RU2295798C2 |
СПОСОБ ФИНИШНОГО ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ ПЛАСТИН InAs | 2014 |
|
RU2582904C1 |
Полировальный состав для обработки германиевых пластин | 1980 |
|
SU937495A1 |
СПОСОБ ПОЛИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ | 2011 |
|
RU2457574C1 |
СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ | 1988 |
|
SU1559980A1 |
СПОСОБ ПОЛИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН | 1991 |
|
RU2007784C1 |
Способ химико-механического полирования поверхностей пластин | 1987 |
|
SU1499622A1 |
Авторы
Даты
1977-06-05—Публикация
1973-08-24—Подача