Способ получения тонкодисперсных порошков сверхпроводящих нитридов Советский патент 1992 года по МПК C01B21/06 

выделенной из СВЧ-разряда. Полученный нитрид титана представляет со.бо кристаллы кубической формы,средний размер около 500 А, содержание TiN 0,98-0,99. Критическая температура it,85 К. Данный способ не позволяет получать нитриды с высокими критическими температурами и магнитными полями. Цель изобретения - увеличение кр тического магнитного поля и повышение температуры перехода нитридов в сверхпроводящее состояние, С этой целью восстановление и аз тирование хлоридов металлов ведут при воздействии переменного электро магнитного поля частотой 1000 5000 МГц в течение , При этом в качестве хлоридов металлов используют тетрахлорид титана или тетрахлорид ванадия. Предлагаемый способ позволяет получить нитрид титана с критической температурой 5,5 К, нитрид ванадия с критической температурой 8,8 К, Пример 1,В поток с расходом 2 кг/ч азотной плазмы СВЧ-разряда средней мощностью 2,5 кВт вводят 30 г/ч тетрахлорида титана и г/ч водорода. На реагирующую систему (титанхлор-водород-азот) накладывают элек тромагнитное поле частотой 2375 мГц и средней мощностью 2,5 кВт. За время пребывания в зоне действия поля около получают нитрид титана со средним размером частиц 300500 Л, Критическая температура нитрида титана 5,5 К, критическое ма1- нитное поле ,5 кЭ против ,85 К и 0,5 кЭ для нитрида титана, получен-, ного без воздействия поля. При м е р 2. В поток с расходом 2 кг/ч азотной плазмы СВЧ-разряда средней мощностью 2,5 кВт вводят 25 г/ч тетрахлорида ванадия и 5 г/ч водорода. На реагирующую систему (ванадий-хлор-водород-азот) накладывают электромагнитное поле частотой 2375 мГц и средней мощностью 2,5 кВт, За время пребывания в зоне действия поля около получают нитрид ванадия со средним размером частиц . около 500 А, Критическая температура нитрида ванадия 8,8 К, критическое магнитное поле Й5 кЭ против 7,9 К и 95 кЭ для нитрида ванадия, полученного без воздействия поля.

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКО- ' ДИСПЕРСНЫХ ПОРОШКОВ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ НИТРИДОВ', включающий водородное восстановление и азотирование хлоридов металлов в потоке низкотемпературной плазмы, отличающийся тем, что, с целью увеличения критического магнитного поля и повышения температуры перехода нитридов в сверхпроводящее состояние, восстановление и азотирование ведут при воздействии переменного электромагнитного поля частотой 1000-5000 мГц в течение 1-0-^-10'^ с.2. Способ поп,1,отличаю- щ и и с я тем, что в качестве хлоридов металлов используют тетрахло- рид титана или тетрахлорид ванадия^г (ЛСП05:оИзобретение относится к получению . . тонкодисперсных порошков нитридов металлов, обладающих сверхпроводящими свойствами.Известен способ получения тонкодисперсных порошков нитридов переходных металлов, например нитрида титана, азотированием порошка титана в потоке плазмы электродугового разряда постоянного тока.Известный способ не позволяет получать нитриды с высокими критическими температурами и магнитными полями,Известен также способ получения тонкодисперсных порошков нитрида титана азотированием порошка титана в потоке плазмы ВЧ-разряда,Этот способ также не позволяет получить нитриды с высокими критическими температурами и магнитными полями ,Наиболее близким к изобретению является способ получения тонкодисперсных порошков сверхпроводящих нитридов, например нитрида титана, водородным восстановлением тетрахло- рида титана в потоке азотной плазмы.:л