Способ измерения деформаций в условиях нестационарных температур Советский патент 1977 года по МПК G01B7/16 

Описание патента на изобретение SU570767A1

1

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при измерении деформации с помощью тензометрирования различных материалов, образцов для исследования, а также готовых деталей и узлов.

Известен способ измерения деформации в условиях нестационарных температур, состоящий в том, что в исследуемой точке устанавливают тензорезистор и две термопары для измерения температуры рещетки тензорезистора, и о деформации судят по сигналам тензорезистора с учетом поправки термочувствительного элемента 1.

Известен способ измерения деформации в условиях нестационарных температур, заключающийся в том, что закрепляют на контролируемой поверхности тензорезистор и термочувствительный элемент и о деформации поверхности судят по сигналам тензорезисторас учетом поправки термочувствительиого элемента 2J.

Недостатком известного способа является необходимость измерения двух динамических температур рещетки тензорезистора и исследуемой поверхности.

Целью изобретения является повыщение точности измерения, что осуществляется использованием тензорезистора и термочувствительного элемента с одинаковыми термическими постоянными времени, а температурную поправку формируют из первой производной сигнала термочувствительного элемента с учетом его термической постоянной времени и

температурного коэффициента линейного расширения материала исследуемой поверхности. При использовании способа предусматривается следующая последовательность оиераций.

Изготавливают тензорезисторы и одинаковые по конструкции (за исключением материала) терморезисторы. Определяют тензочувствительность тензорезисторов и температурный коэффициент сопротивления терморезисторов. Определяют постоянную времени обоих резисторов, что осуществляется путем установки контрольных терморезисторов на отдельной пластине, помещаемой в рабочие условия, разогрева решеток терморезисторов

отдельным мощным источником тока питания, мгновенного подключения терморезисторов к нормальному источнику питания и регистрации показаиий терморезисторов. Кривые охлаждения решеток терморезисторов аппроксимируют экспонентами, по которым определяют среднее значение TO. Указанное значение распространяют на все терморезисторы и тензорезисторы данного типа.

В каждой точке измерения непосредственно

рядом с самокомпенсирующимся тензорезиv,;opoM устанавливают терморезистор, включенный в отдельный канал измерения производной от температуры, построенной по припц} пу, когда выходной сигнал терморезистора корректируют с помощью фазоопережающего контура из скорректированного сигнала вычитают прямой сигнал терморезистора, а полученную разность вторично корректируют посредством аналогичного фазоопережающего контура.

При обработке результатов в каждой точке измерения определяют величины динамических фиктивных деформаций

гди„(/)-:Рп- о-7 р(/)

и ВНОСЯТ поправку в результаты измерений

) и(-гд„„(/)

где е(/г)-истинная деформация в данной

ti.

точке при времени

Su(ti) -зарегистрированная деформация

в точке.

Рта - коэффициент теплового расширения,

То - постоянная времени, Тг(г -производная от температуры решетки.

Для внедрения способа не требзется разработка специальных устройств, приспособлений и приборов. Установка тензорезисторов и терморезисторов осуществляется по существующим технологиям наклейки резисторов.

Формула изобретения

Способ измерения деформаций в условиях нестационарных температур, заключающийся в том, что закрепляют на контролируемой поверхности тензорезистор и термочувствительный элемент и о деформации судят по сигналам тензорезистора с учетом поправки термочувствительного элемента, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений, используют тензорезистор и термочувствительный элемент с одинаковыми термическими постоянными времени, а температурную поправку формируют из первой

производной сигнала термочувствительного элемента с учетом его термической постоянной времени и температурного коэффициента линейного расширения материала исследуемой поверхности.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Серьезиов У. Н., Царева Г. А. Погрешность в измерении деформаций проволочными

тензорезисторами, обусловленная влиянием нестацпонарного нагрева. Проблемы прочности, № 8, 1973, с. 85-87.

2.Патент США № 3490272, кл. 73-88.5, 1970.

Похожие патенты SU570767A1

название год авторы номер документа
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ И СПОСОБ ЕГО НАСТРОЙКИ 1985
  • Белозубов Е.М.
  • Михайлов П.Г.
RU2028584C1
Способ измерения перемещений стенок скважины 1983
  • Щипков Руслан Борисович
SU1155753A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ И ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ НА ЕГО ОСНОВЕ 2009
  • Белозубов Евгений Михайлович
  • Васильев Валерий Анатольевич
  • Чернов Павел Сергеевич
RU2398195C1
Устройство для измерения давления 1988
  • Белозубов Евгений Михайлович
  • Маланин Владимир Павлович
SU1668881A1
СПОСОБ ТЕМПЕРАТУРНОЙ КОМПЕНСАЦИИ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНЫХ ДАТЧИКОВ 1984
  • Белозубов Е.М.
  • Михайлов П.Г.
RU2027142C1
ТЕРМОИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ СИСТЕМА И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНФОРМАЦИОННОЙ МИКРОСХЕМЫ ДЛЯ ТЕРМОИЗМЕРИТЕЛЬНОЙ СИСТЕМЫ 2004
  • Корляков А.В.
  • Лучинин В.В.
  • Бройко А.П.
  • Бохов О.С.
RU2247442C1
СПОСОБ НАСТРОЙКИ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ 2023
  • Полунин Владимир Святославович
  • Шараева Вера Петровна
  • Козлова Наталья Анатольевна
  • Козлова Юлия Александровна
RU2801425C1
ТЕНЗОРЕЗИСТОРНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ 2009
  • Белозубов Евгений Михайлович
  • Васильев Валерий Анатольевич
  • Васильева Светлана Александровна
  • Громков Николай Валентинович
  • Тихонов Анатолий Иванович
RU2391640C1
Датчик давления 1988
  • Белозубов Евгений Михайлович
SU1569613A1
ТЕРМОУСТОЙЧИВЫЙ ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ 2008
  • Белозубов Евгений Михайлович
  • Васильев Валерий Анатольевич
  • Громков Николай Валентинович
  • Рыжова Татьяна Николаевна
RU2375689C1

Реферат патента 1977 года Способ измерения деформаций в условиях нестационарных температур

Формула изобретения SU 570 767 A1

SU 570 767 A1

Авторы

Иванов Евгений Михайлович

Даты

1977-08-30Публикация

1974-02-22Подача