Тестовый модуль для контроля параметров интегральных микросхем Советский патент 1977 года по МПК G01R31/303 

Описание патента на изобретение SU570856A1

туемой микросхемы и общей шиной 6; резистор 7, подключенный к выходу вспомогательного усилителя, и резистор 8, подключенный к общей шине, образуют делитель обратной связи, к которому подключен неинвертирующий вход операционного усилителя 9, инвертирующий вход которого подключен к одному из входов испытуемой интегральной микросхемы и через резистор 10 к выходу операционного усилителя 9, к которому через резистор И подключен вход операционного усилителя 12, соединенный с выходом через резистор 13, а другой вход - к делителю напряжения на резисторах 14 и 15, включенному между общей щиной и выходом операционного усилителя 16, неинвертирующий вход которого подключен через резистор 17 температурной стабилизации к общей щине, а инвертирующий вход - к второму входу испытуемой интегральной микросхемы и через резистор 18 к выходу.

Режим испытуемой интегральной микросхемы определяется усилителем 1, устанавливающим равенство выходных напряжений испытуемой интегральной микросхемы. Испытуемая интегральная микросхема и усилитель 1 охвачены глубокой отрицательной обратной связью по постоянному току посредством резисторов 7 и 8. Входные токи сбалансированной испытуемой микросхемы поступают соответственно на инвертирующие входы операционных усилителей 9 и 16, которые соединены с выходами через резисторы 10 и 18.

Если усилители 9 и 16 идентичны и согласованы по своим параметрам, то к входам испытуемой микросхемы приложено напряжение смещения нуля и выходном напряжение на выходе вспомогательпого усилителя равно

р п (-

RJ

причем сопротивление резистора У б 100/ 7Выходные напряжения EZ и ЕЗ на выходах операционных усилителей 9 и 16 равны

р - ; р .

BXi 9)

С-3 -- ex,

Выходное напряжение 4 на выходе усилителя 12, осуществляющего вычитание напряжений Ё2 и 3, определяется выражением

р - F - (1 4- 3 р Ri3 . ЛиЛ.Л + Кп1 Rn

Если выбрать и Rn Riz,

то

E, (I,-R)(I,-R)

:(/вх,-/вx,)/ Д/вx/ Пoлyчaeм значения параметров одновременно: на выходе вспомогательного усилителя 1-напряжение, равное -100 f/oMj на выходах усилителей 9 и 16 - напряжения, пропорциональные входным токам смещения, на выходе усилителя 12 - напряжение, пропорциональное разности входных токов, исключая коммутацию входных цепей испытуемой микросхемы.

Тестовый модуль не требует последовательного сбора тестовых схем для измерения указанных выше параметров микросхемы, не имеет коммутирующих элементов для коммутации входных цепей микросхемы, приводящих к увеличению временных задержек, обусловленных переходными процессами в цепях коррекции, дает возможность измерения параметров микросхемы без запоминания промел уточных результатов и вычислений.

Формула изобретения

Тестовый модуль для контроля параметров интегральных микросхем, содержащий усилитель, входы которого подключены к делителям напряжения, включенным соответственно

между выходами испытуемой микросхемы и общей щиной, делитель обратной связи, включенный между выходом усилителя и общей щиной, и резистор температурной стабилизации, отличающийся тем, что, с целью исключения коммутаций цепей контролируемой интегральной микросхемы, в него введены два дополнительных делителя напряжения, два резистора и три операционных усилителя, неинвертирующий вход первого из которых подключей к делителю обратной связи, неинвертирующий вход второго через резистор температурной стабилизации подключен к общей шине, а инвертирующие входы первого и второго операционных усилителей подсоединены

к соответствующим входам контролируемой интегральной микросхемы и через резисторы к выходам первого и второго операционных усилителей, причем один из входов третьего операционного усилителя подключен к одному

из дополнительных делителей напряжения, включенному между выходами первого и третьего операционных усилителей, а второй вход третьего операционного усилителя подключен к второму дополнительному делителю

напряжения, включенному между выходом второго операционного усилителя и общей шиной.

Похожие патенты SU570856A1

название год авторы номер документа
Тестовый модуль для контроля параметров интегральных микросхем 1977
  • Дубовис Владимир Моисеевич
  • Антонов Юрий Иванович
  • Чернышев Юрий Николаевич
SU632967A2
Устройство для контроля параметров линейных интегральных микросхем 1977
  • Дубовис Владимир Моисеевич
  • Антонов Юрий Иванович
  • Чернышев Юрий Николаевич
SU661439A1
Устройство для контроля параметров линейных интегральных микросхем 1978
  • Дубовис Владимир Моисеевич
  • Чернышев Юрий Николаевич
SU777604A1
Импульсный стабилизатор постоянного напряжения 1990
  • Федосимов Юрий Семенович
  • Иванов Константин Анатольевич
SU1712945A1
Устройство для измерения температуры 1990
  • Лобачевский Георгий Степанович
  • Мамаев Валерий Николаевич
SU1739212A2
Устройство для измерения электрических параметров операционных усилителей и компараторов напряжения 2016
  • Нуров Юрий Львович
  • Долгов Роман Сергеевич
  • Шустов Юрий Иванович
RU2612872C1
Устройство для измерения параметров полупроводниковых приборов 1980
  • Пецюх Евгений Андреевич
SU991336A1
Устройство для измерения коэффициента гармоник 1976
  • Дубовис Владимир Моисеевич
  • Антонов Юрий Иванович
  • Бать Сергей Давыдович
  • Чернышов Юрий Николаевич
SU789851A1
Устройство для измерения коэффициента гармоник усилителей мощности 1978
  • Дубовис Владимир Моисеевич
SU879493A2
Устройство для контроля параметров линейных интегральных микросхем 1978
  • Дубовис Владимир Моисеевич
  • Чернышев Юрий Николаевич
SU777603A1

Иллюстрации к изобретению SU 570 856 A1

Реферат патента 1977 года Тестовый модуль для контроля параметров интегральных микросхем

Формула изобретения SU 570 856 A1

SU 570 856 A1

Авторы

Дубовис Владимир Моисеевич

Антонов Юрий Иванович

Чернышов Юрий Николаевич

Даты

1977-08-30Публикация

1976-04-29Подача