Расширитель импульсов Советский патент 1977 года по МПК H03K5/04 H03K5/13 

(54) РАСШИРИТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ 34

чек между базами ключевых гранаисторовперезаряжаться через открытый транзистор

Ь,4, а конденсатор 18 - между обкладкой4, резистор 1 и источник питания, Ьремязадающего конденсатора 2, соединен-Такой .процесс повторяется до тех пор,

ой с ключевыми транзисторами 3, 4 и ба-пока потенциал на обкладке конденсатора

Ьой дополнительного транзистора 9, соединен-,52, соединенной с базой транзистора 9, не

ной через резистор 10 с коллектором поро-достигнет потенциала отпирания транзистогового транзистора 7, а коллектором - с ка-ра 7. Низкий уровень потенциала коллектотодом диода 8.RQ транзистора 7, поступающий на резистор

Расширитель импульсов работает следую- 0, обеспечивает запирание транзистора 9

щим образом.10и срыв автежолебательного процесса генераВ исходном состоянии транзисторы 3 ииии импульсов большой скважности. 7 открыты, а транзисторы 9 и 4, базы которых подсоединены соответственно через

резисторы 1О и 11 к коллектору транзистоФормула изобретения

ра 7, закрыты. К катоду диода 8 приложе- 5 но запираюшее положительное напряжение.

Конденсатор 18 заряжен через резисторы 10, Расширитель импульсов, содержащий

14 и транзисторы 3,7, а конденсатор 17 -последовательную времязадающую КС - цепь,

через резисторы 11, 15 и открытый тран-одна обкладка конденсатора которой соединваистор 7.. «0на через ключевые транзисторы с шинами исПри подаче на вход 19 запускающего им-точника питания, а другая - с базой порогопульса положительной полярности транзисторвого транзистора, включенного по схеме с

4 открывается, а транзистор 7 закрывается.общим эмиттером, диод, соединенный аноВысокий отеипиал коллектора транзисторааом с базой порогового транзистора допол7 поступает через резистор 10 на базу нительный транзистор, включенный по схетранзистора 9 и открывает его. Конденсатормв с общим эмиттером, резисторы, о т л и 17 подключается положительно заряженнойчающийся тем, что, с целью повы-

обкладкой через открытый транзистор 9шения надежности, в него введены два конк эмиттеру транзистора 4 и запирает его,денсатора, при этом один из них включен прекращая перезаряд конденсатора 2. 30 между базами ключевых транзисторов, друТранзистор 7 удерживается в закрытомгой - между обкладкой времязадающегоконсостоянии запирающим потенциалом открыто-денсатора, соединенной с ключевыми транго транзистора 9, |соторый подается на ба-зисторами, и базой дополнительного транзу транзистора 7 через диод 8.зистора, соединенной через резистор с колПосле разряда конденсатора 17 происхо- 85 лектором порогового транзистора, а коллекдит опрокидывание схемы. Транзистор 4тором - с катодом диода, открывается, конденсатор 18 через открытый транзистор 4 подключается положитель- Источники информации, принятые во йнино заряженной обкладкой к эмиттеру тран-мание при экспертизе: зистора 9 и запирает его, открывая тем 1. Авторское свидетельство СССР

самым транзистор 3. Конденсатор 2 начинает 393805, кл. Н ОЗ К 5/13, 18.03,71.

571889