Магнитный запоминающий элемент Советский патент 1978 года по МПК G11C11/08 

ниформацни в элементе действует лишь м. л. с. смещения. Создаваемый ею поток замыкается в основном вокруг отверстия 2 (фиг. 3). Материал элемента вокруг отверстия 4 хранит информацию в виде остаточной намагннчеииости. Считывание информации (фиг. 2) осуществляется но началу координатных токов / и /у, иодаваемых в координатные обмотки считывания 11 и 12. М.д.с. коордииатиых токов создает изменение иотока вокруг веех отверстий элемента, так как м.д.с. ностоянного смещеиня иоддерживает состояиие намагинчеииости иеремычек 5 и 6 и ирепятствует замыканию потока от м.д.с. коордииатиых токов 1х и /у через эти иеремычки вокруг отверстия 2. Поток считывания огибает отверстие 2 в наиравлении, иротивоноложиом иаправлеиию иотока от м.д.с. смещения. Пути вокруг разрядиого отверетия 4 с левой и с иравой сторон между точками Л и В геометрически равны, иоэтому ноток делится иоиолам и обтекает отверстие 4 с двух сторои. Занись ииформации (фиг. 2) осуществляется ио заднему фроиту координатиых токов 1х и 1у с одиовремениой нодачей тока /р в разрядную обмотку 10. Для заииси «1 в разрядиую обмотку 10 иодают имнульс тока / (фиг. 2). М.д.с. разрядного тока создает иреимуществеииое наиравлеиие остаточной намагничеииости вокруг отверстия 4 иротив часовой стрелки (фиг. 3). При заииси «О в разрядиую обмотку 10 подают ток этом случае иоток остаточной намагниченности вокруг информационного отверстия 4 иаиравлеи ио часовой стрелке (фиг. 3). Если элемент находился в состоянии «1, то в такте считывания в результате изменения потока в большем числе слоев по пути А- -Б-В, чем по пути А-Д-В (фиг. 3) в разрядной обмотке будет наведен сигнал «I. Если элемент иаходился в состоянии «О, то изменеиие потока ио пути А-Б-В по сравиению с изменением нотока по пути А-Д-В будет незначительным и в разрядной обмотке будет иаведен сигнал «О, но амплитуде меньщий, чем сигиал «1. Таким образом, использование баланса магинт1 0го потока вокруг щтформациоииого отверст 1я 11о:;голяет осуи ествить координатную выборку. Предло ке; имй элемеит (фиг. 1) допускает иесколько разиовидиостей. Если эломе;т использовать в запоминающем устройстве структуры 2Д, то одиа из обмоток И 12 должиа быть числовой (фиг. 4). При необходимости иолучения разиополярного выходного сигиа,та обмотку 10 следует выполнить восьмеркой через отверстия 1 и 4 или 3 и 4 (фиг. 5). Предложенный запоминающий элемеит позволяет использовать миогокоордииатиую выборку. При этом коордииатиые обмотки 13 могут проии-шаться через отверстие 2 (фиг. 6). Для снижения числа ироводов в отверстии коордииатные обмотки 14 и 15 ирошиваются через отверстия I и 3 (фиг. 7). Если два предложенных элемента обт едииить так, чтобы два отверетия с обмоткой емеидеиия были у них общими, иолучается Тобразиый элемент с щестью отверстиями иа два разряда (фиг. 8). При иаличии пластииы 16 с тремя рядами отверстий (фиг. 9) объединение четырех элементов позволяет создать креетообразный элемент с девятью отверстиями иа четыре разряда информации. Формула изобретения Магиитиый запоминающий элеме гг, содержащий пластину из материала с прямоугольной иетлей гистерезиса с четырьмя отверстиями, через которые ироиитты обмотки считывания, и разрядиую обмотку, о т л и ч а ю щ и йея тем, что, с целью расщиреиия области применения элемента, он содержит обмотку смещеиия, прощитую через первое и третье отверстия в одном наиравлении, а через втоое отверетие - в нротивоиоложиом иаправении, а разрядиая облютка проишта через четвертое отверетие.

. Г гЦ

V-/ V,.x

i fj- )

о

i/T jl

ШЧ / чOb

:

О 5 an

Фиг. 6

V.

ii

/Tf

V

L,

i f W L w