(54) УСТРОЙСТВО ВВОДАГАЗОВ В РЕАКЦИОННУЮ КАМЕРУ
/ .1Изобретение относится к устройствам ввода газов в реакционную камеру для процессов газовой эпитаксии, ркис:лёнш1 и диффузий и может быть использовано в полупроводниковой технике. -. . .в.известныя устройствах для эпитаксиального осаждения подачу газов в камеру осуществляют через трубки с отверстиями, кольцеобразные каналй или капиллярные в корпусе реактора
выполненные таким образом устройства ввода газов, однако, не обеспечивают необходимого смешивания компонентов, однородного поступления их к осаждаемой поверхности.
Известно устройство ввода ;газа в реакционную камеру, например, ДЛ5| процессов эпитаксии, окисления и диффузии содержащее газовые вводы и распределители потокрв, выполненные в виде колец с отверстиями, которые произвольно расположены на рабочей стороне 4. В этом устройстве газовый поток на правляется в камеру параллельными ПУЧками, что также не обеспечивает высокой степени смешивания газовых компонентов и их регулируемую подачу.
.Цель изобретения - повышение степени смешивания и регулирования пода чи потоков..
Для этого предложено кольца распределителей установить концантрично с возможностью перемещения одного относительно другого кольца имеют пря- мЬугольное сечение со скосом внутрен него угла внешнего кольца, отверстия которого выполнены на скосе.
Скос выполнен/под углом 40-45 к общей оси колец. . .
Нафиг, .1 изображено устройство, общий вид,- на фиг. 2 - то же, поперечный разрез; на фиг. 3 - вид по стрелке/А нафиг. 1. ,
Устроййтво включает в себя средст ва для подачи газов - газовые ввсды, и 2, соединенные с распределителями потоков газа 3 и 4 в камеру . Распределители 3 и 4 выполнены в виде колец 5 и б с Отверстиями для впуска Газов в-камеру. Кольца распределителей установлены концентрично с возможностью перемещения одного относительно другбго и имеют прямоугольное сечение со скосом 7 внутреннего угла внешнего кольца, отверстия которого выполнены на скосе. Скос расположен под углом 40-45 к общей оси колец (фиг.З) Один из газовых компонентов поЯают через распределитель 4, а другой через распределитель 3. Получаемый га зовый поток, образуют два противолежащих телесных угла (см,фиг.2), что обеспечивает интенсивное и равномерное смешиванИе газовых компонентов. Перемещением распределителя 4 вдоль оси относительно распределителя 3 обеспечивается смешивание газовых ком понентов непосредственно в зоне осаж дения и регулировка расстояния точки смешивания от обрабатываемой поверхности. Устройство может быть использован в процессах, где требуется высокая степень, смешивания компонентов и однородности состава вблизи обрабатываемой поверхности, В качестве примера рассмотрим осс1ждение слоев двуокиси кремния путем окисления.моносилана водородов в среде азота. Компоненты подают по распределителям 3 и 4 при расходе (л/мин): моносилана 1,2; кислорода 0,61; газоносителя 10 Смешанный поток газа поступает к под ложкам, нагретым до 420с в зоне оса дения. Полученные слои двуокиси крем ния толщиной О,.4 мкм при скорости их осаждения 0,08 мкм/мил. Разброс по то7пдине в партии составляет10%. Таким образом, устройство.обеспечивает равномерную и регулируемую по
t. f дачу газов при их хорошей смешиваемости. Формула изобретения 1,Устройство ввода газов в реакционную камеру, например, для процессов эпитаксии, окисления и диффузии, включающее средства для подачи газов, соединенные с распределителями потоков газа, выполненными в виде колец с отверстиями для впуска газов в камеру, отличающееся тем, что, с целью повышения степени смешивания и регулирования подачи потоков, кольца расгпределителей установлены концентрично с возможностью перемещения одного относительно другого и имеют прямоугольное сечение со скосом внутреннего угла внешнего кольца, отверстия которого выполнены на скосе, 2.Устройство по П.1, отличающееся тем, что скос выполнен под углом 40-45° к общей оси колец. Источники информацииj принятые во внимание при экспертизе; 1,Патент США (3381114,кл,219-38,5, 1968, 2,Патент США 37459б9,кл,118-48, 1973, 3,Патент Японии 10175гКЛ,99/5/В15, 1972, - . 4,Электронная промышленность , 1973, 2, с,78-79,
