Устройство для регистрации цилиндрических магнитных доменов Советский патент 1978 года по МПК G11C11/00 G11C11/14 G11C11/155 

ти ж«, разрез «о слоям; на фиг, 3-5 - чрохожп :11ие доменов Б окрестностях датчиков при ;:.азлнч1плх иаправлеииах вектора поля управлииия; на фиг, 6 - форма счнташшго си1-и апа от прохождения одного домена.

Устройство для регистрации ЦМД содержит магаиторезистивнын датчик 1, расположенный в верхнем ферромшчгитном слое 2 у одних концов полушевронов 3 ферромаг - нитных аппликаций продвижения и расширени ЦАЩ, разделенных слоем 4 из немагнитного материа ш, и подключенный одной стороной к общей шине 5. К этой же шине подключен мшниторезистивньш датчик 6, располох енны во втором (нижнем ) ферромагнитном слое 7 у других концов тех же полушевронов. Полушевроны 2 верхнего слоя расположены таким образом, что входят с зазором между полушевронами 8 нижнего .

Датчики Д. и 6 подключены по мостовой схеме с помощью резисторов 9 и 10 к балансному усилителю 11 шинами 12 и 13. Ферромагнитные аппликации расширения и продвигкения ДМД расположены на разделительном немагнитном слое 14, нанесенном на магнитоодноосную гшенку 15 с ДМД 16, например эпитаксиальную феррит гранатовую пленку, выращенную на немагнитном гранате 17, Источник питания 18 подключен одним полюсом к общей шине 5 и к сред ней точке усилителя 11, а другим полюсом к резистором 9 и 10.

НМД 16, двигаясь по аппликации продвижения и расширения ЦМД под влиянием поля управления Ну . вращающегося в плоскости пленки по часовой стрелке, проходит последовательно в-моменты времени t положения, показанные на фиг. 3, 4, 5. Ириблийшясь к устройству считывания (фиг. НМД 16 регистрируется датчиком 1, дат чик 6 еще не чувствует присутствия доме- -:а, и поэтому баланс мостовой схемы нару« шается и появляется сигнал положительной полярности (фиг. 6а). При дальнейшем перемещении ЦМД 16 он попадает в пространство между датчиками 1 и 6 (фиг. 4, момент времени t ) и поскольку воздействия на датчики одинаковы, сигнала не будет

(фиг. 66). Продвигаясь , ИМД 16

проходит в момент времени k j в положение, показанное на фиг. 5. Датчик 6 поД воздействием домена изменяет свое сопротивление, воздействие домена на датчик 1 ослаблено, поэтому мост оказывается снова разбалансироваиным, причем в противоположную сторону от случая, показанного на фиг. 3. Соответственно, сиг-нал будет противоположной полярности (фиг. 6в).

Расположение датчиков в разных слоях облегчает технологию изготовления устройства для ЦМД малых (менее 5 мкм) раэмеров, так как минимальные зазоры между элементами аппликаций (полуШевронов) возрастают примерно вдвое, поскольку сами элементы, составляюише одну аппликацию, расположены в разных слоях.

Формула изобретения

Устройство ДГ1Я регистрации цилиндрических мш нитных доменов, содержащее магнитоодноосную пленку с цилиндрическими магнитными доменами, на поверхности которой расположены ферромагнитные аппликации расширения и продвижения цилиндрических магнитных доменов и магниторезистивные датчики, подключенные к выходу устройства отличающееся тем, что, с целью упрощения устройства, каждая ;ферромагнит ная аппликация выполнена из двух полушевропов, расположенных в ферромагнитных слоях, размещенных на магнитоодноосной пленке и разделенных слоем из немагни ного материала, расстояние между смежнь ми полушевронами в каждом слое в 3-4 раза больше их ширины i одним магииторезистивный датчик расположен в первом слое у одних концов HiwiyiuoBpOHOB, а другой - во втором слое у других концов этих же полушевронов.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Патент Японии N 5О-13614, кл. 11 4 А 512, 21.5.75.

k.Bobe1 A.H.et о(е.,гос.о tbe lEEE.v

N 8, 1975, p. 1176. in. . .ГТ« ч 1. , .: T /7/7/ /7/

5

b«

i Ve

. ti

.16

M,t,

1 l

.