Способ активировки сплавных вторично-электронных эмиттеров на основе меди Советский патент 1978 года по МПК H01J39/00 

щелочного металла, а окисление в приборе осуществляют в течении 5-1О мин.

Пример, На стадии препварительной обработки эмиттеры из сплавов на основе меди прогревают ёз окисления при темпоратуре 45О-520 С до вакуума 2.10-1,10 мм рт. ст. .снижают температуру до 20О-28О С и распыляют щелочной металл,

Затем смонтированные в оболочку эмит- теры нагревают до 45(К520 С, вьщерживая при этой температуре до давления 2-5-10 м рт.ст. в течение 5-10 мщ1,

Далее проводят окисление эмиттеров при давлении 10 -10 мм рт.ст. в течекие 5-10 мин,

При окислении менее 5 мин не удается достичь требуемого коэффициента вторичноэлектронной эмиссии, а при окислении более 10 мин снижается стабильность анодного тока.

Затем откачивают кислород, нагревают эмиттеры до 45О-52,О С и выдерживают при этой температуре 1-1,5 ч после чего прибор охлаждают, и изготовляют фотокатод.

Предлагаемый способ позволяет улучшить стабильность анодного тока в 2-1О раз, улучшить линейность световой характеристики в 4-8 раз, и уменьшить время воздействия в режим в 2-3 раза.

Формула изобретения

Способ активировки сплавньпс вторичноэлектронных эмиттеров на основе меди для фотоэлектронных приббров, включающий прогрев эмиттера в отдельном вакуумном объеме, и прогрев и окисление эмиттеров в оболочке прибора, отличающийс я тем, что, с целью повышения стабильности анодного тока, улучшения светово характеристики и сокращенна времени вхождения прибора в режим, после прогрева в отдельном вакуумном объеме проводят распыление щелочного металла,, а окисление в приборе осуществляют в течение 5-1О ми

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1.Соболева Н, А,, Меламид А, Е, Фотоэлектронные прнборы, М,, Высшая школа, 1974, с, 216-219,

2.Технологическая карта .Обработка динодов умножителя ОРО 733937, 1969,