Магнитный запоминающий элемент Советский патент 1978 года по МПК G11C11/08 

(54) МлгаИТНЫЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ

Предлагаемый магиитиый запоминающий элемент может найти применение в вычислительной технике и предназначен для использования в ЗУ, работающих на принципе координатной выборки информации.

Известен магнитный запоминающий элемент, содержащий ферритовую пласти.ну с двумя парами отверстий, одна из которых расположена вдоль горизонтальной оси симметрии пластины, а другая - вдоль вертикальной оси симметрии, и две обмотки, прошитые соответстBeiiHO через каждую пару отверстий в противо; положных направлениях (Ij.

Этот элемент предназначен для использования в накопителях с линейной выборкой информации.

Известен магнитный запоминающий элемент, содержащий ферритовую пластину с тремя парами отверстий, одна из которых расположена вдоль вертикальной оси симметрии пластины, а две другие - вдоль горизонтальиой оси симметрии пластины, н три обмотки, прошитые соответственно через каждую пару Отверстий в противоположных «аправлениях (2).

Недостатком этого элемента является низкое быстродействие, обусловленное использованнем выборкн методом геометрического совпадения токов, при котором считывание информации осуществляется за несколько тактов.

Целью изобретения является повышение быстродействия.

Эта цель достигается введением в предложенный элемент дополнительной пары отверстий, расположенной вдоль горизонтальной оси симметрии пластины. При этом отверстия прошиты четвертой обмоткой в противоположных направлениях.

На чертеже показан предлагаемый элемент.

Он содержит ферритовую пластину 1 с отверстиями 2 и 3, расположенными вдоль вертикальной оси симметрии пластины. Отверстия 4-9 расположены вдоль горизонтальной оси симметрично относительно точки пересечения осей. Первая обмотка 10 прошита через отверстия 2 и 3 в противоположных направлениях, вторай обмотка Я - через отверстия 6 и 7 в противоположных направлениях, третья обмотка 12 - через отверстия 5 и 8, а четвертая - 13 через отверстия 4 и 9 в противоположных направлениях.

По обмоткам Пи i2подаются коордкнатиые токи выборки 1, и 1у соответственно, по обмотке 13 - постоянный ток смещения.

Считывание осуществляется совместным действием двух координатных токов на фоне тока смещения.

Выборочная запись осуществляется методом ratchet-write. Быстродействие предлагаемого элемента повыщено по сравнению с прототипом не менее, чем в два раза за счет уменьшения числа тактов выборки с двух до одного. При использовании предлагаемых) элемента в составе накопителя с координатной выборкой и неразрушающим считьсванием информации в каждый отдельный момент времени по полному гистерезисному циклу перемагничиваются только элементы, принадлежащие выбранной числовой линейке (в прототипе по полному гистерезисиому циклу перемагничиваются также элементы, принадлежащие нолувыбранным линейкам), что позволяет при равном времени переключения существенно уменьщить напряжение источника питання адресных формирователей, т.е. уменьшить потребляемую мощность.

Формула изобретения

Магнитный запоминающий элемент, содержащий ферритовую пластинку с тремя парами отверстий, одна из которых расположена вдоль вертикальной оси симметрии пластины, а две другие - вдоль горизонтальной оси симметрии пластины, и три обмотки, прощнтые соответственно через каждую пару отверстий в противоположных направлениях, отличающийся тем, что, с целью повыщення быстродействия элемента, он содержит дополнительную пару отверстий, расположенную вдоль горизонтальной оси симметрии пластины и прощитую четвертой обмоткой в противоположных направлениях.

Источники информации, принятые во вннмаиие при экспертизе:.

7w