Магнитный запоминающий элемент Советский патент 1976 года по МПК G11C11/08 

На фиг. 1 показан магнитный запоминающий элемент; на фиг. 2 - граф переходов сердечника выбранного элемента.

Магнитный запоминающий элемент (фиг. 1) содержит ферритовую пластину 1 с большим крайним и четырьмя малыми отверстиями, расположенными вдоль оси симметрии пластины и разделенными равными по сечению перемычками, разрядную обмотку 2 записи, прошитую через четвертое малое крайнее отверстие, первую координатную обмотку 3, прошитую через третье малое отверстие, вторую координатную обмотку 4, прошитую через первое и второе малое отверстия в противоположных направлениях и выходную обмотку 5, прошитую через большое крайнее отверстие. По координатным обмоткам могут подаваться токи как положительной, так и отрицательной полярности /ж, 1у, fx, fy, по разрядной Обмотке записи подается однополярный разрядный ток записи /р.

Разрушающее считывание осуществляется совместным действием координатных токов /х+ и 1у+. При считывании «1 перемагничивается перемычка, прилегающая к больщому отверстию с внешней стороны, и в выходной обмотке появляется полезный сигнал, в полуизбранных сердечниках при этом материал прилегающий к малым отверстиям перемычек, может перемагничиваться в зависимости от предыстории по различным контурам. Направление намагниченности перемычек, прилегающих к малы-м отверстиям, не имеет принципиального значения, поэтому информационным состоянием «О и «1 ставятся в соответствие магнитные состояния, характеризующиеся намагниченностью крайней перемычки «вверх и «вниз, соответственно при произвольном направлении намагниченности перемычек, прилегающих к малым отверстиям.

Запись «1 осуществляется совместным действием координатных токов х и 1у-, которые намагничивают «вверх три перемычки, прилегающие к малым отверстиям (фиг. 2). Насыщение трех перемычек «вверх заставляет оставшиеся три перемычки намагнититься «вниз, т. е. происходит установка элемента в состояние «1. При записи «О разрядный ток запрещает действие тока /ж, стремящегося намагнитить крайнюю перемычку «вверх, т. е. запрещает переход из

состояния «О в состояние «1.

Основным достоинством описанного выще элемента является наличие в каждом отверстии по одному проводнику, что позволяет существенно упростить процесс сборки матриц. Сравнительные испытания предложенного и известных элементов показали, что одновременно повышается надежность запоминающего устройства за счет уменьшения вероятности короткого замыкания между различными шинами.

Формула изобретения

Магнитный запоминающий элемент, содержащий ферритовую пластину с большим крайним и четырьмя малыми отверстиями, расположенными вдоль оси симметрии пластины и разделенными равными по сечению

перемычками, координатные обмотки, разрядную обмотку записи, прошитую через четвертое малое крайнее отверстие, выходную обмотку, прошитую через большое крайнее отверстие, отличающийся тем, что,

с целью упрощения элемента, одна из координатных обмоток прошита через третье малое отверстие, а другая через первое и второе малые отверстия в противоположных направлениях.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе.

1. Авт. св. №. 226954, кл. G 11с 11/08, от 02.08.67.

4

L

/

/ Ч

XI.

t I

i j; ly

Фиг.1