Магнитный запоминающий элемент Советский патент 1977 года по МПК G11C11/08 

Изобретение относится к цифровой вычислительной технике и автоматике и может быть использовано в оперативных запоминающих устройствах с двухкоординатной выборкой (структура 3).

Известны высокотехнологичные магнитные запоминающие элементы, выполненные на групне отверстий многоотверстной пластины из материала с прямоугольной петлей гистерезиса так, что через каждое отверстие проходит только один проводник.

Магнитный запоминаюихнй элемент с двухкоординатной выборкой, выполненный на ферритовой пластине из материала с прямоугольной петлей гистерезиса с вое мью отверстиями, шесть из которых расположены вдоль одной оси симметрии и прошиты двумя координатными обмотками и обмоткой смешения, а два - вдоль перпендикулярной оси симметрии и прошиты разрядной обмоткой, является наиболее близким техническим решением к предложенному элементу. Этот элемент имеет малый выходной сигнал по причине неглубокой модуляции выходного напряжения от разрядного тока записи (1).

Цель изобретения состоит в повышении надежности элемента путем увеличения выходного сигнала.

Для этого отверстия на пластине pacno.noены вдоль одной оси, координатные обмотки и бмотка смещения прошиты соответственно через первое и восьмое, четвертое и пятое, третье н шестое отверстия в противоположных направениях, а разрядная обмотка прошита через второе и седьмое отверстия в одинаковых направлениях.

Эти изменения в расположении отверстий приводят к более тесному взаимодействию зоны

хранения информации и зоны опроса и тем самым к увеличению выходного сигнала.

На фиг. 1 изображен предлагаемый магнитный запоминающий элемент; на фиг. 2 -используемые магнитные состояния.

Магнитный запоминающий элемент выполнен на участке 1 пластины 2 из материала с прямоугольной петлей гистерезиса, содержащем восемь отверстий, расположенных вдоль одной оси, и прошитых координатными обмотками 3, 4 соответственно через первое и восьмое, четвертое и пятое отверстия в противоположных направлениях, обмоткой смещения

5через третье и шестое отверстия в противоположных направлениях и разрядной обмоткой

6через второе и седьмое отверстия в одинаковых направлениях.

Элемент работает следующим образом. Т1оДйча двух координатных токов 1,, 1у в обмотки 3, 4 на фоне тока смещения , , протекающего в обмотке 5, приводит к «жесткому стиранию мнформацин, так как элемент переходит в магнитное состояние «С (фиг. 2).

В разрядной обмотке 6 наводится импульс йапряження Ut или Uo той или иной полярности в зависимости от предыдущего магнитного состояния «1 или «О.

Запись информации осуществляется по окончании координатных токов поддействием тока смещения при наличии одного из разрядных токов 1м, I pi, подаваемых в разрядную обмотку 6. Ток Грр (Ipi) нарушает баланс в иагнитопроводе элемента. Изменение магнитного потока центральной перемычки замыкается в основном вокруг правых (левых) четырех отверстиА и элемент попадает в состояние «О (I).

Предложенный элемент может хранить троичную информаиию. Третье состояние хранения

возникает, если при записи не подаются ,рэзрядиые токи 1р,. 1р,.

Формула изобретения

Магнитный запоминающий элемент, содержащий ферритовую пластину из матрриала с прямоугольной петлей гистерезиса с восмью отверстиями, прощитыми координатными йбмотками, обмоткой смещения и разрядной обмоткой, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности элемента, отверстия на пластине расположёны вдоль одной оси, координатные обмотки и обмотка смещения прошиты соответственно через первое и восьмое, четвертое и пятое, третье и шестое отверстия в противоположйых направлениях, а разрядная обмотка прошита через второе и седьмое отверстия в одинаковых направлениях.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1 Двторсксе свидетельство по заявке № 2135944/18-24, кл. G С 11/08, i9.05.75.