Инвертор Советский патент 1978 года по МПК H03K19/08 

1

Изобретение относится к импульсной технике и предиазначеио для использования во входных схемах оперативных запоминающих устройств.

. Известен инвертор без дополнительного источника смещения, содержащий два транзистора с объединенными эмиттерами, кол: лекторы которых подключены к выходным клеммам, база первого транзистора соединена с акоДом диода и с коллектором третьего транзистора, база которого через первый резистор соединена с щиной питания, а эмиттер - с входной клеммой, база второго транзистора соединена с кат.одом диода и через второй резистор - с щиной питания, а также третий резистор, первый вывод которого соединен с общей шиной, и четвертый траизистор 1.

Его недостаток заключается в завышенном выходном уровне логического нуля, из-зга чего при его использовании требуются дополнительные согласующие каскады.

Целью изобретения является получение симметричности выходных сигналов и снижение выходного уровня логического нуля.

Для этого в предлагаемом инверторе коллектор четвертого транзистора соединен с катодом диода, база - с эмиттерами первого и второго транзисторов и вторым выводом

третьего резистора, а эмиттер - с общей .щиной.

На чертеже приведена схема предлагаемого инвертора.

. Инвертор содержит транзисторы 1 -4, диод 5 и резисторы 6-8. Базы Транзисторов 1 и 3 через резисторы 6 и 7 соответственно соединены с шиной 9 питания, эмиттеры транзисторов 2 и 3 соединены с базой транзистора 4 и через резистор 8 -, с обшей щиной, к которой подключен также эмиттер транзистора 4. Коллектор транзистора 4 соединен с базой транзистора 3 и катодом диода 5, анод которого подключен и коллектору и базе транзисторов 1 и 2 соответственно, эмиттер транзистора 1 подключен к входной клемме 10, коллекторы транзисторов 2 и 3 соединены с выходными клеммами II и 12 соответственно.

Инвертор работает следующим образом.

При подаче на входную клемму 10 -сигнала логической единицы закрывается переход база-эмиттер транзистора, I

Ток через резистор 6 и переход базаколлектор транзистора 1 течет в базу транзистора 2 и открывает его. Эмиттерньж ток транзистора 2 создает падение напряжения на резисторе 8, которым открывгктся трапзистор 4-. и часть коллекторного тока трац-знстора I ответвляется через диод в коллекторную цепь транзистора 4. Падением напряжения на диоде 5 обеспечивается закрытое состояние транзистора 3. . При подаче на входную клемму 10 сигнала логического нуля открывается переход базa-эмиттq) транзистора I, транзистор 2, диод 5 и траизистор 4 закрываются. Через резистор 7 база транзистора 3 оказывается подключенной к шине 9 питания, в результате чего транзистор 3 открывается его эмиттерным током, нарезисторе 8 создается падение напряжения, открывающее транзистор 4. В этом случае траизистор 2 закрыт, а транзистор 3 открыт падением иапряження на переходе коллектор-база транзистора 4. При подборе величины резистора 6 на эмиттерах транзисторов 2 и 3 потенциал при логической единице на входной клемме 10 равен потенциалу при логическом нуле на входной клемме 10. Этим добиваются симметричности прямого и инверсного выходных сигналов, при этом уровень логического нуля выходного сигнала определяется суммой напряжений на эмиттерах транзисторов 2, 3 и НГ1 их эмитТерно-коллекторных переходах. Формула изобретения Инвертор, содержащий два транзистора с объединенными эмиттерами, коллекторы которых подключены к выходным клеммам, база первого транзистора соединена с анодом диодй и с коллектором третьего транзистора, база которого через первый резистор соединена с шиной питания,а эмиттер - с входной клеммой, база второго транзистора соедииена с катодом диода И через второй резистор с шиной питаиия, а также третий резистор, первый вывод которого соединен с обшей шиной, и четвертый транзистор, отличающийся тем, что, с целью снижения выходного уровня логического нуля, коллектор четвертого транзистора соединен с катодом диода, база - с эмиттерами первого и второго траизисторов и вторым выводом третьего резистора, а эмитюр - с обшей шиной. Источники информации, принятые во внн маиие при экспертизе: 1. Журнал «Электроника, № 18, 1972, с. 45.