(54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ДИФФУЗИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ, СОДЕРЖАЩИХ &-1l ПЕРЕХОД UT - термоЭДС горячих носителей заряда;N - отношение тангенсов угла наклона вольтамперной характеристики в сильном электрическом поле и без него. Пример. Образец с I-h-переходом помещают в высокочастотный тракт. Измеряют его вольтамперную характеристику на постоянном токе в отсутствии высокочастотного электрического поля. Затем измеряют вольтамперную характеристику образца также на постоянном токе при наличии сильного электрического ВЧ поля в тракте. Так как носители, заряда в сильном электрическом поле разогреваются, вследствие этого меняется их подвижность, что влечет за собой изменение наклона вольтамперной характеристики. Из измеренных вольтамперных ха рактеристик в сильном электрическо.м поле и без него находится отношение их тангенсов углов наклона N -у|- и термоЭ |С горячих носителей зарядаUT. Напряженность электрического, поля Е„ в образце определяется по величине падающей на образец ВЧ мощности. Для получения больщей точности измерений Е делается согласование сопротивления образца с высокочастотным трактом. Контроль согласования образца с трактом осуществляется путем измерения коэффициента стоячей волны. После нахождения Е , N и U коэффициент диффузии носителей заряда определяют по формуле. Формула изобретения Способ измерения коэффициента диффузии носителей заряда в полупроводниках, содержащих I-h переход, заключающийся в измерении ЭДС в полупроводниковом образце, при действии на него электрического СВЧ поля, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений, на исследуемый полупроводник воздействуют однородным СВЧ полем, определяют отнощение тангенсов угла наклона вольтамперной характеристики образца в электрическом поле и без него, а коэффициент диффузии носителей заряда определяют по формуле D(EJ (,-K, где е - заряд электрона; Ф - высота потенциального барьера f-h перехода; DO - коэффициент диффузии носителей заряда в слабом электрическом поле; Е„ - максимальное значение напряженности ВЧ поля; LT-термоЭДС горячих носителей заряда;N - отношение тангенсов угла наклона вольтамперной характеристики в сильном электрическом поле и без него.
