Формирователь импульсов на мдптранзисторах Советский патент 1978 года по МПК H03K19/08 

(54) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ НА МДП-ТРАНЗИСТОРАХ i 6 ЙДП-гранзистор последовательно соедн ненный с транзЕ;ст:ораг.ш первого явух-гактноа/с усил:к1елЯ; причем затвор его подключен к шине питания,- а сток -- к выходу первого двухтактного усилителя На чертеже лана принципиальная электрическая схема формирователя пульсов на. Mflr} -Tpaii3HCTOpax. ®opMKpOBaTejEb иг-шульсов на МДП-транзисторах ссщерж первый двук™ тактныа усилитель л вьяюлненный „на транзисторах 2 я 3 второй двухтактны усилитель 4, вкполненнкй на транзисторах 5 и б. трвгий двухтактный усилитель 7, выполненный на траизисгора 8 и 9f инвертор 10 с токостабилизиpj-iomefi нагрузкой, выполненный на транзисторах 11 12 н 13 и конденсатора 14 обратной связк S ьнвертор 15J выполненный на транзисторах 16 и 17/ конденсатор 18 обратной связи дополкктельпый МДП-транзнстор 19, блокировочный МДП-транзистор 20, БХО ную шину 21 р шяну 22 и обдую ..шину 23. Нейнвертир пс/щий вход усилителя 1 подключен к эахзору транзистора 12, Инвертирующие входьа усилителей 1 и 4 и инвертора 10 подключены к шине 21. Выход усилителя 7 через конденсатор 18 сое,пинен с его неинвертирузощим ВХОДОМ; с ,OiVi усилителя 1 и с неинвертирующим входом усилителя 4/ Инвертирующий вход усилителя 7 подключей к выходу инвертора 15 и к ст ку транзистора 13 затвор icoTOpoi-o подключен к входу игпзертора 15 -д к выходу усилителя 4, а его нсток - к выходу инвертора 10, Транзистор 20, сток KOTOPOJ.-O подключен к выходу уси лителя 1,, затвор - к шине 22, а исто К стоку 3;p6iH3HCTOpa 3 1 Пред1лагаег, формирователь работа следуюи.им образом. В исходном состоянии на входную ишну 21 подан высокий уровень н.апряж ни:я. Транвнсторы 3, б и 13 открыты вьюо1:им входным напряжением. На выхо де усилителя 4 - низкий уровень капр жеикя, которым эа-срыты транзисторы 1 и 19. Па HCTOice транзистора 16 - Efa™ пряжение,. бл шкое к величине Е , где F - напряжение источника питаНИЯгUQ,- пороговое наир.чжение транзисторе 16 , Этим напряжением транзисто 9 Таким образом, кон,цансатор 18 .обеими обкладками иодключен к шине 2 а конденсатор 14 через транзистор 11 Заряжен до напряженияE-UO . Этим нап жевием открыт транзистор 12, В- начальньп момент после иодачи н шину 21 нулевого потенциала запирают ся транзисторы 3, б и 13. Происходит нарастание напряжения на затворах тр зисторов 2, 5 и 8 и с некоторой временвой задержкой на выходе усилителя, По мере нарастания выходного напряжения происходит отпирание инвертора 15, что,- в свою очередьf приводит к заииранию транзистора 9, управляемого выходньм напряжением инвертора 15. В течение этого времени едка об- . кладка конденсатора 18, подсоединенная к выходу третьего усилителя 1, остается подключенной к обшей шине 23, тогда как вторая обкладка подключается, к шине 22 через транзистор 8 TaixHM образом, на первой стадии формирования фронта происходит заряд конденсатора 18 до напряжения питания. По мере нарастания сигнала на эыходе усилителя 4 происходит отпирание транзисторов 17 и 19 и запирание транзисторов 2 и 9. Затвор транзистора 5 оказывается отключенным как от I мины 23f так и от шиньа 22. Конденсааор 18, предварительно заряженный на первом этапе формирования фронта до напряжения питания, подключается через транзистор 8 к шине 22, Происходит удвоение напряжения питания на выходе первого усилителя 1 и на затворе транзистора 5,который полностью отпирается, и напряжение на выходе второго усилителя 4 становится.равным напряжению питания. Напряжение на истоке транзистора .20 нарастает до величины E-UQ Известна зависимость обратного Пробивного напряжения р-п -перехода от напряжения, приложенного к затвору, имеющая вид .Up-ti mU.const, где , - обратное пробивное напряжение р-л-перехода, ш -- коэффициент пропорциональности, причем m 1 в широком диапазоне U;. , - напряжение на затворе, г1аиболее опасным режимом является такой, ко.гда на р-п-переходе стока МДП-транзистора высокое напряжение, а на его затворе - низкое. Смещение напряжения на затворе МДП-транзистора ( U ) приводит к увеличению значения пробивного напряжения Р - ft -перехода стока примерно на такую же величину Up..U const. С другой стороны, напряжение пробоя диэлектрика затвора определяется технологическими и геометрическими параметрами МЛП-транзистора, и при напря-. жении на затворе до некоторой величины равным нулво ( и 0) , равно Увеличение напряжения на затворе до некоторой величины () приводит к уменьшению на такую же величину падение напряжения на диэлектрике зат.вора в месте его перекрытия с областью стока,