Датчик влажности Советский патент 1979 года по МПК G01N27/22 

Описание патента на изобретение SU642639A1

(54) ДАТЧИК ВЛАЖНОСТИ

Похожие патенты SU642639A1

название год авторы номер документа
Емкостный первичный преобразователь влажности 1980
  • Ройфе Владлен Семенович
SU890215A1
Поверхностный емкостый датчик влажности 1978
  • Ройфе Владлен Семенович
  • Вайнштейн Александр Леонидович
SU684424A1
СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ АБСОЛЮТНОЙ ВЛАЖНОСТИ МАТЕРИАЛОВ 2019
  • Ходунков Вячеслав Петрович
RU2732477C1
Емкостной первичный преобразователь влажности 1977
  • Ройфе Владлен Семенович
SU711450A1
Емкостной датчик измерения физико-химических свойств рыхлых и сыпучих веществ 1982
  • Свиридов Николай Михайлович
  • Скрипник Юрий Алексеевич
  • Свиридов Анатолий Михайлович
  • Бурмистенков Александр Петрович
SU1073674A1
Устройство для определения проницаемости материалов неэлектропроводными жидкостями 1980
  • Свиридов Николай Михайлович
  • Скрипник Юрий Алексеевич
  • Ефремов Виктор Александрович
  • Свиридов Анатолий Михайлович
  • Иванов Борис Александрович
SU949424A1
Устройство для определения теплофизических характеристик материалов конструкций 1980
  • Ройфе Владлен Семенович
  • Ясин Юрий Дмитриевич
  • Кузнецова Наталия Николаевна
  • Лебедькова Галина Гурьевна
SU922607A1
ЕМКОСТНОЙ ДАТЧИК ВЛАЖНОСТИ 1967
  • Балюбаш В.А.
  • Лапшин А.А.
  • Назимов Н.П.
SU215567A1
Накладной емкостной датчик 1977
  • Федоров Юрий Николаевич
  • Романенко Юрий Михайлович
SU670872A1
ЕМКОСТНЫЙ ДАТЧИК ДЛЯ КОНТРОЛЯ тонких ПЛЕНОК 1971
SU292120A1

Иллюстрации к изобретению SU 642 639 A1

Реферат патента 1979 года Датчик влажности

Формула изобретения SU 642 639 A1

Изобретение относится к измерител ной технике и может быть использован для измерения влажности твердых моно литных материалов, например бетона в конструкциях. Известны емкостные датчики, предназначенные для измерения влажности поверхности твердых монолитных материалов, содержащие копланарные элект роды, выполненные в виде параллельны прямоугольников, укрепленные на изол рующем основании 1. У таких датчиков близость края образца материала влияет на результа ты измерений. Известны также емкостные датчики с копланарными электродами, один из которых (низкопотенциальный) образуе замкнутый контур, окружающий второй (высокопотенциальный) электрод 2. Однако у такого датчика большая начальная (нерабочая) емкость и нет надежного контакта электродов с поверхностью материала. Из известных емкостных датчиков влажности наиболее близким по технической сущности к предлагаемому явля ется датчик влажности, содержащий диэлектрическое основание, на которо расположены высокопотендиальный и низкопотенциальный электроды, выполненные в виде копланарных концентрических колец 3. Однако такой датчик не позволяет получить достаточно точных измерений влажности твердых материалов в изделиях, поверхностный слой которых отличается от основной массы материала другим составом компонентов и другой влажностью. Этот недостаток обусловлен тем, что при копланарном расположении электродов емкостного датчиКа напряженность электрического поля, создаваемого электродами в материале, неравномерна в направлении, перпендикулярном плоскости электродов. При этом чувствительность датчика к влажности материала максимальна в поверхностном слое материала и убывает по гиперболической зависимосги от глубины, т.е. изменение CBOIU.-TB материала в поверхностном слое оказ.лвает ощутимое влияние на результаты измерений. Цель изобретения - повшиение точности измерений. Для этого предлагаемый датчик снабжен дополнительным электродом, размещенным между высокопотенциальным и низкoпoтeнциaльнtJM таким образом,

SU 642 639 A1

Авторы

Ройфе Владлен Семенович

Даты

1979-01-15Публикация

1976-08-03Подача